SK Hynix comienza a suministrar muestras apiladas de 12 capas del próximo generador de memoria para IA «HBM4E»

BlockBeats noticia, 18 de junio, según informó Securities Times, SK Hynix anunció el día 18 que la compañía ha suministrado muestras de 12 capas de HBM4E a sus principales clientes, este producto es la próxima generación de DRAM de ultra alto rendimiento para inteligencia artificial (IA). Su velocidad de pin puede alcanzar hasta 16Gbps y mejorará la eficiencia energética en más del 20%, aumentando la capacidad de procesamiento de datos necesaria para el entrenamiento y la inferencia de IA.
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