🚨 Citrini Research Últinforme: La revolución de la memoria AI que reemplaza a DRAM con Flash

AMD adquiere MEXT para optimizar el rendimiento de la memoria flash, acercándose a DRAM, Apple impulsa la solución "LLM in a Flash" en el extremo final—dos gigantes que actúan simultáneamente, esto no es casualidad, es una señal de que la arquitectura de memoria AI está experimentando una migración estructural.
Solo un dato clave: el costo de la memoria flash es solo 1/55 del de DRAM. *HBM ya ocupa el 25% de la capacidad de producción de DRAM, la presión de la "impuesto a la memoria" ha llegado a un punto crítico. A través de la optimización del controlador, apilamiento de NAND y ajuste del modo de celda, Flash está convirtiéndose en una verdadera alternativa en capacidad y ancho de banda para AI en el borde. Esta también es la base teórica del reciente aumento continuo en las acciones de almacenamiento representadas por SanDisk ($SNDK ).
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La esencia de esta lógica no es "la memoria flash reemplaza a DRAM", sino que la jerarquía de memoria para inferencia de AI está siendo reestructurada.
En la fase de inferencia, la caché KV de baja frecuencia, los pesos del modelo y los datos en el extremo final pueden desplazarse desde costosos HBM/DRAM hacia NAND Flash/SSD. Flash no reemplaza a HBM, sino que en la dimensión de capacidad, asume la demanda de desbordamiento—la demanda de almacenamiento de AI es tan grande que requiere una arquitectura multinivel para soportarla.
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Cuatro niveles de transmisión de beneficios:
① Fabricantes de NAND (más directo)
Alta capacidad de NAND, SSD empresariales, NAND QLC son la dirección más pura.
Acciones en EE. UU.: SNDK, WDC, MU, Kioxia
Pureza lógica: SNDK / WDC / Kioxia > MU
② Controladores de SSD (más duraderos)
Lo que acerca realmente la memoria Flash a la experiencia de la memoria es el controlador, firmware y la optimización de la arquitectura NVMe—no solo el aumento de precios de los chips.
Acciones en EE. UU.: SIMO, MRVL
Taiwán: Phison
③ Interconexión rápida CXL / PCIe
Los datos se trasladan de Flash a la unidad de cálculo, el canal en sí mismo tiene valor.
Acciones en EE. UU.: ALAB, RMBS, CRDO
④ Actualización del almacenamiento AI en el extremo final
Apple LLM in a Flash: los pesos del modelo residen en la memoria flash del iPhone/Mac, impulsando la migración del almacenamiento terminal de 256GB a 1TB, elevando el centro de demanda de NAND.
Beneficiados: MU, Samsung, Kioxia, Phison
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Mapeo en A-share:
Más directo → Jiang Bolong, Baiwei Storage, Demingli
Núcleo de la actualización de arquitectura → Lankei Technology (CXL + interfaz de memoria)
Mapeo en plataformas nacionales → GigaDevice, Beijing Junzheng
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Dos conclusiones:
Elasticidad a corto plazo: SNDK, WDC, SIMO, Phison, Jiang Bolong, Baiwei Storage
Seguridad a mediano y largo plazo: MU, MRVL, ALAB, Lankei Technology