DRAM vuelve a marcar un récord histórico: ¿El primer ETF de memoria pura del mundo logra un aumento cercano al 150% en lo que va del año?

El 2 de abril de 2026, el primer fondo cotizado en bolsa (ETF) del mundo centrado exclusivamente en chips de memoria de memoria pura, Roundhill Memory ETF (código de cotización: DRAM), fue listado oficialmente en la bolsa Cboe BZX. En solo dos meses desde su lanzamiento, el precio de este ETF subió desde aproximadamente 28 dólares en su emisión hasta más de 50 dólares, con una ganancia acumulada cercana al 150%, y su tamaño de gestión superó los 10 mil millones de dólares, convirtiéndolo en uno de los ETF de más rápido crecimiento en la historia. Al 2 de junio de 2026, el precio de negociación más reciente de DRAM fue de 68 USD, con un aumento del 7.6% en 24 horas.

Este crecimiento explosivo de este ETF no es un evento aislado, sino que refleja la ola de expansión de infraestructura de IA a nivel global en los mercados de capitales. Los chips de memoria que sigue, están en el cuello de botella más crítico en la expansión de la capacidad de cálculo de IA.

¿Por qué un ETF que solo lleva dos meses en el mercado puede convertirse en el producto de mayor crecimiento a nivel mundial?

Dos meses para recorrer una década: Hitos en el crecimiento del ETF DRAM

El ETF DRAM ha completado en aproximadamente dos meses lo que normalmente tomaría años en crecimiento en volumen para un ETF tradicional. Su explosividad no solo proviene del aumento en los precios del mercado secundario —de 28 a más de 50 dólares en emisión, lo cual ya es muy atractivo— sino también de la velocidad de entrada de fondos, que superó ampliamente las expectativas.

Según datos públicos, en solo 10 días después de su lanzamiento, DRAM superó los 1,000 millones de dólares en activos bajo gestión (AUM), y en 25 días alcanzó los 50 mil millones de dólares. Esta velocidad rompió récords existentes, convirtiéndolo en el producto que menos tiempo ha tardado en alcanzar los 100 mil millones de dólares en AUM en la historia de los ETF. A finales de mayo de 2026, el AUM del fondo se estabilizó en aproximadamente 103 mil millones de dólares, con entradas de fondos semanales continuamente positivas.

Este fuerte interés de inversión refleja el reconocimiento del mercado hacia la estrategia de inversión en "temas de memoria pura". En comparación con ETF tradicionales de semiconductores como SOXX o SMH, que cubren múltiples segmentos como chips lógicos y fabricación de dispositivos, DRAM limita estrictamente su alcance a chips de memoria y almacenamiento, ofreciendo una exposición más concentrada y pura a la infraestructura de IA.

¿Por qué los chips de memoria se han convertido en el cuello de botella más crítico en la expansión de la capacidad de cálculo de IA?

Para entender el comportamiento del precio de DRAM, primero hay que responder a una pregunta clave: ¿qué papel desempeñan los chips de memoria en el sistema de cálculo de IA?

El aumento en la capacidad de cálculo de IA no solo depende de la evolución continua de chips de procesamiento como GPU, sino que también está limitado por la eficiencia en la transferencia de datos entre los procesadores y los dispositivos de almacenamiento. La memoria de alta ancho de banda (HBM) es un componente central en las tarjetas aceleradoras de IA, mientras que DRAM y NAND Flash soportan la operación de sistemas de servidores y el acceso a grandes volúmenes de datos.

Actualmente, se espera que la tensión en la oferta de HBM, DRAM y NAND Flash continúe hasta después de 2026, impulsada por la demanda explosiva de memoria de alto rendimiento en aplicaciones de IA, mientras que la oferta enfrenta múltiples obstáculos tecnológicos que dificultan una expansión rápida. Específicamente, el tamaño de los chips en los procesos avanzados de fabricación de HBM continúa aumentando, reduciendo la cantidad de chips que se pueden cortar de una oblea, lo que disminuye la elasticidad de la oferta; además, la introducción de la litografía ultravioleta extrema (EUV) en la fabricación avanzada de DRAM limita aún más la velocidad de aumento de la capacidad.

El talón de Aquiles del cálculo de IA: la tensión entre oferta y demanda de chips de memoria

Mientras la oferta está restringida, la demanda sigue acelerándose. Un informe reciente de JP Morgan ajustó significativamente sus previsiones para el tamaño del mercado global de almacenamiento de 2026 a 2028, estimando que alcanzará los 1.7 billones de dólares en 2028. Micron Technology ha confirmado que toda su capacidad de producción de HBM para 2026 ya está reservada, fortaleciendo su capacidad de fijación de precios. SK Hynix domina aproximadamente el 60% del mercado de HBM, siendo un soporte clave para el ecosistema de IA de Nvidia.

Características de la cartera de ETF centrado en memoria pura: ¿cómo es la concentración y cómo se distribuyen los riesgos?

La alta concentración de DRAM no es un defecto de diseño, sino una consecuencia inevitable de su enfoque temático. Actualmente, el ETF mantiene 20 valores componentes, con las tres principales posiciones —SK Hynix, Samsung Electronics y Micron Technology— que en conjunto representan cerca del 70% del peso total, siendo SK Hynix la que más peso tiene, con aproximadamente un 27% a 28%.

Triunvirato y distribución geográfica: resumen de la concentración en la cartera del ETF DRAM

La participación combinada de empresas surcoreanas en el ETF ronda entre el 52% y el 55% (principalmente SK Hynix y Samsung Electronics), las empresas estadounidenses representan aproximadamente entre el 32% y el 35% (principalmente Micron Technology), y el resto está distribuido en Taiwán (~7-8%), Japón (~3-4%) y otras regiones. La suma de estas participaciones se acerca al 100%. Esta concentración geográfica también refleja la distribución global de la capacidad de producción de chips de memoria: las empresas surcoreanas dominan en HBM y DRAM, Micron en DRAM y NAND, y en Taiwán, Nanya Technology y Winbond son componentes complementarios en la cartera.

¿Cómo está evolucionando la lógica de expansión de la demanda de memoria, desde HBM hasta DDR5?

En los últimos dos años, la atención del mercado a la memoria se centró principalmente en HBM, ya que es un componente directo en las tarjetas de aceleración de IA. Sin embargo, a medida que las aplicaciones de IA avanzan desde la fase de entrenamiento hacia la inferencia y la era de los agentes inteligentes, la estructura de la demanda de memoria está experimentando cambios profundos.

De HBM a DDR5: evolución en la estructura de demanda de memoria en IA

Un informe reciente de UBS señala que la estructura de demanda subyacente en la industria de IA ya está comenzando a cambiar. Antes de 2023, la demanda de modelos grandes provenía principalmente del entrenamiento; entre 2024 y 2025, el enfoque se desplazó gradualmente hacia la inferencia; y desde 2026, la industria está acelerando su entrada en la era de los agentes inteligentes — IA que no solo responde preguntas, sino que también planifica, ejecuta tareas y llama a herramientas, lo que implica un crecimiento exponencial en el consumo de recursos de almacenamiento.

En este nuevo marco, DDR5 está ganando protagonismo. Los agentes inteligentes requieren que muchas tareas sean coordinadas por CPU, que gestionan estados y llaman a herramientas, siendo DDR5 el almacenamiento principal para estas funciones. UBS estima que en los próximos años, el mayor incremento en la demanda provendrá de DDR5 en lugar de HBM. La previsión de JP Morgan también respalda esta visión, elevando en un 5% a un 22% la demanda de memoria en servidores para 2026-2028, con más del 60% de ese incremento proveniente de IA.

Esto implica que la estructura de demanda de los productos cubiertos por el ETF de DRAM está pasando de ser “un solo tipo” a “múltiples focos”: HBM continúa fuerte, DDR5 se acelera, y las unidades de estado sólido empresariales (SSD) también se expanden rápidamente impulsadas por la demanda de inferencia de IA. JP Morgan estima que el mercado de eSSD superará los 500 exabytes en 2026, representando el 43% de la demanda total de NAND.

¿Cómo soportan las ganancias de los tres principales fabricantes de memoria el valor de las posiciones del ETF?

La razón por la que la cartera de DRAM sigue atrayendo atención del mercado radica en que las ganancias de sus componentes subyacentes han salido del patrón tradicional de “oscillaciones cíclicas” y ahora están en una trayectoria de crecimiento impulsada por demandas estructurales.

Motor subyacente: visión general del rendimiento de los tres principales fabricantes de memoria

Los últimos resultados de SK Hynix muestran un aumento del 198% en ingresos interanuales y del 165% en beneficios netos, además de que la dirección ha elevado las previsiones de rendimiento a futuro. Micron reportó ingresos trimestrales que pasaron de aproximadamente 8 mil millones de dólares a más de 23 mil millones. Samsung Electronics, gracias a su capacidad en HBM y DDR5, ha visto un aumento en su cotización en más del 160% en el año.

Es importante destacar que estas tres compañías ya superan el umbral de 1 billón de dólares en capitalización, convirtiéndose en los activos de infraestructura de IA más observados en los mercados globales. Datos de Bloomberg indican que las ganancias netas de Micron podrían subir de 8.5 mil millones en 2025 a 66.8 mil millones en 2026, y alcanzar aproximadamente 120 mil millones en 2027. Si estas previsiones se cumplen, las ganancias de la cartera de DRAM seguirán mostrando un alto nivel de visibilidad.

Desde una perspectiva de valoración, las expectativas del mercado ya son bastante optimistas. Actualmente, los múltiplos de beneficios futuros de Micron y SanDisk están en torno a 10 veces, pero estas valoraciones se basan en beneficios en crecimiento continuo. Históricamente, Micron alcanzó un múltiplo de 46 en picos cíclicos, y SanDisk llegó a 58, lo que indica que la expansión actual en valor refleja principalmente expectativas de crecimiento de beneficios, no una burbuja de valoración.

¿Cómo verificar la continuidad del superciclo? ¿Qué riesgos hay que tener en cuenta?

Cualquier activo que experimente un crecimiento explosivo a corto plazo debe responder a una pregunta fundamental: ¿puede mantenerse ese crecimiento? Para DRAM, los siguientes tres factores determinarán su tendencia a medio plazo.

Sostenibilidad del gasto de capital. Las cuatro grandes empresas de la nube y plataformas —Amazon, Meta, Alphabet y Microsoft— prevén que en 2026 sus gastos en infraestructura de IA alcanzarán los 725 mil millones de dólares. Algunas de estas compañías están financiando este gasto mediante aumento de deuda; si la tasa de crecimiento de estos gastos se desacelera, las perspectivas de beneficios y los precios de las acciones de los fabricantes de chips se verán afectados directamente.

Riesgo de punto de inflexión en los precios de la memoria. Aunque los precios contractuales de DRAM y NAND aún están en tendencia alcista, la naturaleza cíclica de la industria de memoria es bien conocida. TrendForce predice que en el primer trimestre de 2026, los precios contractuales tradicionales de DRAM podrían subir entre un 55% y un 60% mes a mes, lo que ya refleja una alta sensibilidad a la oferta y demanda. Si el crecimiento de la demanda se desacelera marginalmente o la capacidad de oferta se libera gradualmente, una caída de precios en niveles elevados podría comprimir significativamente los beneficios de las empresas de memoria que dependen en gran medida de la fijación de precios.

Efecto de doble filo de la concentración en las posiciones. Aproximadamente el 70% del peso de DRAM está concentrado en solo tres empresas, por lo que cualquier noticia negativa sobre estas compañías afectará directamente el valor neto del ETF. Además, la alta dependencia del mercado surcoreano expone al fondo a riesgos de tipo de cambio y cambios en políticas regulatorias.

JP Morgan admite en su informe que las acciones de almacenamiento todavía se negocian con descuentos respecto a sus beneficios, principalmente por dudas del mercado sobre si la participación en valor de almacenamiento puede seguir creciendo. Sin embargo, la institución opina que la IA ha generado una estructura de demanda completamente nueva, y que los marcos tradicionales de valoración cíclica ya no son aplicables. En esencia, se trata de una cuestión que requiere tiempo para ser validada: entre un “punto de inflexión estructural” y un “pico cíclico”, los mecanismos de juicio del mercado aún no han llegado a un consenso.

Resumen

El nuevo máximo histórico de DRAM refleja, en esencia, la consolidación de la ola de inversión en infraestructura de IA en los mercados de capitales. Gracias a su enfoque diferenciado en “memoria pura” y al respaldo de las ganancias de sus componentes, este ETF ha logrado en poco tiempo una rápida expansión en tamaño. Detrás de ello está la lógica estructural de que los chips de memoria son el cuello de botella principal en la capacidad de cálculo de IA — con una demanda que supera la oferta en HBM, una aceleración en la demanda de DDR5 y una expansión continua de SSD empresariales, formando un sistema de demanda en múltiples niveles.

No obstante, existen riesgos relacionados con la concentración, los puntos de inflexión en los precios y la sostenibilidad de las valoraciones. La optimismo que ya está incorporado en los precios actuales determinará cómo se comportará este ETF en los entornos de mercado futuros. Para los participantes del mercado, comprender la lógica estructural y las limitaciones cíclicas de DRAM es clave para evaluar el valor de esta herramienta de inversión emergente.

Preguntas frecuentes

¿Qué tipo de fondo es el ETF DRAM y cuál es su tema de inversión?

El DRAM es un ETF de gestión activa, lanzado por Roundhill Investments, y es el primer ETF global centrado en memoria pura, listado en la bolsa Cboe BZX en abril de 2026. Invierte al menos el 80% de sus activos netos en empresas de chips de memoria y almacenamiento, con un enfoque en HBM, DRAM y NAND Flash, diferenciándose de los ETF tradicionales de semiconductores que tienen un alcance más amplio.

¿Cuáles son las principales posiciones del ETF DRAM y qué nivel de concentración tienen?

Actualmente, el ETF mantiene unas 20 posiciones, con las tres principales siendo SK Hynix (~28%), Samsung Electronics (~21%) y Micron Technology (~26% incluyendo derivados), que en conjunto representan aproximadamente entre el 70% y el 75% del peso total del fondo.

¿Cuál ha sido el principal impulsor del aumento cercano al 150% en el precio del DRAM?

El principal motor es la expansión estructural en la demanda de chips de memoria debido a la expansión de la capacidad de cálculo de IA. La escasez y limitaciones en la expansión de la capacidad de producción de HBM, junto con la aceleración en la demanda de DDR5 y SSD empresariales para inferencia de IA, han impulsado las expectativas de beneficios y las valoraciones de las empresas de memoria.

¿Qué riesgos hay que tener en cuenta al invertir en el ETF DRAM?

Los principales riesgos incluyen: (1) alta concentración en solo tres empresas, por lo que las noticias negativas sobre ellas afectarán directamente el valor del ETF; (2) la naturaleza cíclica del mercado de memoria, con posibles puntos de inflexión en precios contractuales; (3) si la inversión en infraestructura de IA se desacelera, la demanda de memoria podría disminuir; (4) la dependencia del mercado surcoreano implica riesgos de tipo de cambio y políticas regulatorias.

¿Cuál es la tasa de gastos y el método de gestión del ETF?

El ETF DRAM es de gestión activa, con una tasa de gastos del 0.65%. El equipo gestor realiza reequilibrios trimestrales, ajustando las ponderaciones según la participación de mercado y los ingresos en memoria y almacenamiento, con una restricción de que ninguna compañía supere el 25% del peso total.