Desde la cuarta fase de DRAM hasta alcanzar un valor de mercado de 2 billones, Changxin y Yangtze Memory han lanzado ambas flechas, y el almacenamiento nacional finalmente ya no es una narrativa de "reserva". En el ciclo de auge impulsado por la potencia de cálculo de la IA, los grupos de mil millones de inversión estatal en Anhui y Hubei están llevando a China en ICs desde un avance puntual hacia un ecosistema multipolar: esto es la profundidad que la tecnología dura debe tener.

Changxin Technology obtiene la aprobación de la IPO en la Bolsa de Shanghai, revela dos fases de planes de participación accionaria de empleados, con un total de 6760 asignaciones, y el costo de la segunda fase es solo 0.108 yuanes por acción. Si la capitalización de mercado supera los 2 billones de yuanes, después de la cotización podrían nacer al menos 13 multimillonarios y miles de millonarios. En el primer trimestre de 2026, los ingresos serán de 50.8 mil millones de yuanes, un aumento interanual del 719%, con un beneficio neto de 24.76 mil millones de yuanes, siendo la cuarta en el mercado global de DRAM en 2024 y la primera en China. Changjiang Storage también ha iniciado la asesoría para su cotización, con una participación en NAND superior al 10%. Los activos estatales de Anhui y Hubei poseen aproximadamente el 46.7% y el 44% respectivamente, impulsando a Hefei y Wuhan a formar clústeres de circuitos integrados de mil millones de yuanes. La demanda de potencia de cálculo en IA impulsa el ciclo de auge de los chips de almacenamiento, y el ascenso de los almacenamiento nacionales marca la entrada de la industria de IC en China en una fase de desarrollo multipolar.