Las tres grietas del superciclo de almacenamiento de IA: desajuste en la estructura de beneficios, descoordinación de la capacidad y advertencia de un punto de inflexión en el ciclo de 2027

30 de abril de 2026, Samsung Electronics publicó unos resultados trimestrales que dejaron al mercado sin aliento: ingresos totales de 133.9 billones de won, un crecimiento del 43% respecto al trimestre anterior, y un aumento significativo del 69% en comparación con el mismo período del año anterior, rompiendo récords históricos de ingresos en un solo trimestre; el beneficio operativo alcanzó los 57.2 billones de won, un aumento del 185% respecto al trimestre anterior y un incremento del 756.1% en comparación con el año anterior. Entre ellos, el departamento de soluciones de equipos para semiconductores logró ingresos de 81.7 billones de won y beneficios operativos de 53.7 billones de won, ambos alcanzando nuevos máximos históricos en un solo trimestre. El departamento de DX (dispositivos y soluciones) obtuvo ingresos de 52.7 billones de won, con un beneficio operativo de solo 3 billones de won — los semiconductores aportaron el 93.9% del beneficio operativo total de la compañía.

Casi al mismo tiempo, SK Hynix presentó unos resultados con un aumento interanual del beneficio operativo del 405%: ingresos de 52.58 billones de won, un incremento del 198% respecto al año anterior; beneficio operativo de 37.61 billones de won, con un margen de beneficio del 72% — superando el 58% de TSMC y el 67.6% de Micron. Desde que Western Digital escindió SanDisk, que cotiza desde febrero de 2025 con un precio de 38.50 dólares, su valor ha subido aproximadamente un 3,640%, y en lo que va de 2026 ha subido más de un 460%.

Sin embargo, bajo estas cifras asfixiantes, se están formando silenciosamente tres grietas — quizás no cambien inmediatamente la dirección del ciclo, pero sí sirven para advertir a los inversores: incluso el ciclo superlativo más grandioso tiene sus cumbres.

Grieta uno: La crisis de “beneficios excesivos” de Samsung — 48,000 empleados al borde de la huelga

El 21 de mayo de 2026, una huelga masiva que podría haber durado 18 días y que involucraba a unos 48,000 empleados fue suspendida en el último momento. Las negociaciones entre la dirección y el sindicato de Samsung Electronics, mediadas por el Ministro de Trabajo de Corea, alcanzaron un acuerdo preliminar de salario, destinando el 10.5% del beneficio operativo del negocio de semiconductores a un fondo de bonificación especial. Según cálculos, los 28,000 empleados del departamento de chips de memoria recibirían en promedio unas 600 millones de won en bonificaciones este año, mientras que los empleados del departamento de teléfonos y televisores recibirían solo 600,000 won — una diferencia de aproximadamente 100 veces.

Detrás de estas cifras hay una profunda fractura interna. El departamento de semiconductores de Samsung aporta más del 93% del beneficio operativo total, mientras que el departamento de DX, que incluye teléfonos y electrodomésticos, continúa enfrentando presión en sus márgenes — el responsable de negocios móviles, Ryu Tae-won, advirtió internamente que, debido al aumento en los costos de adquisición de chips de almacenamiento, el negocio de teléfonos en 2026 podría registrar la primera pérdida anual en la historia del departamento. El profesor Sung Jae-hong de la Universidad de Seúl comentó con precisión: “Cuando empleados doctores en el departamento de DX solo reciben 600,000 won en bonificación, pero los trabajadores de producción con educación secundaria en el departamento de semiconductores reciben 6 millones de won, esa estructura difícilmente puede considerarse justa por los empleados.”

El 27 de mayo, el sindicato aprobó el acuerdo salarial con casi un 74% de votos a favor, y la crisis de huelga quedó temporalmente resuelta. Pero un analista de KB Securities estimó que, si la huelga durara 18 días, la oferta global de DRAM podría reducirse entre un 3% y un 4%, y la de NAND entre un 2% y un 3%. Aunque al final no ocurrió, esta turbulencia ya reveló un hecho: cuando un superciclo genera beneficios extraordinarios sin precedentes, la tensión en la distribución interna puede convertirse en una “cisne negro” en la cadena de suministro.

| Indicador | Departamento de semiconductores de Samsung | Departamento de DX (teléfonos/electrodomésticos) | | --- | --- | --- | | Ingresos Q1 2026 | 81.7 billones de won | 52.7 billones de won | | Beneficio operativo Q1 2026 | 53.7 billones de won | 3 billones de won | | Bonificación media por empleado | Aproximadamente 600 millones de won (departamento de memoria) | Aproximadamente 600,000 won | | Motor principal | Producción en masa de HBM4 + demanda de servidores AI | Ventas de la serie insignia Galaxy S26 |

Grieta dos: La rentabilidad del DRAM tradicional supera a la de HBM — Desajuste en la lógica de oferta y demanda

Una señal subestimada por el mercado proviene de las decisiones de capacidad de Samsung y SK Hynix.

El 14 de abril, SK Hynix redujo su planificación de envíos de HBM4 para 2026 en aproximadamente un 20-30% respecto a lo planeado, afectando la oferta a Nvidia. La compañía aclaró que no se trata de una disminución en la demanda, sino de una optimización activa de la estructura de productos — redirigiendo capacidad hacia HBM3E y productos LPDDR para servidores, con márgenes de beneficio más altos.

Esto coincide con las señales emitidas por Samsung. En la conferencia de resultados del primer trimestre, Samsung afirmó que HBM4 ya había alcanzado producción en masa en febrero, pero los márgenes de beneficio del DRAM tradicional están superando a los de HBM. Datos de la industria muestran que, en el primer trimestre de 2026, los precios contractuales del DRAM convencional aumentaron entre un 55% y un 60% respecto a principios de año, y se ajustaron al alza hasta un 90-95%; en el segundo trimestre, los precios continuaron subiendo un 58-63% respecto al trimestre anterior. La memoria móvil (Mobile DRAM) de consumo subió incluso un 80% en un solo trimestre. Por ejemplo, el DDR5 de 16Gb pasó de 5.524 dólares a aproximadamente 40 dólares, un aumento del 627%.

Una comparación típica revela un desajuste en la jerarquía de beneficios: debido a que los chips HBM tienen una superficie mucho mayor que el DRAM convencional, producen menos chips por oblea — producir 1GB de HBM requiere entre 3 y 4 veces más superficie de oblea que el DRAM tradicional. En fases de precios en alza, el beneficio unitario del DRAM convencional puede ser mayor. Samsung y SK Hynix, motivados por maximizar beneficios, redistribuyen capacidad — lo que significa que la lógica lineal de “ampliar producción de HBM para aliviar la oferta” se ve alterada por una ordenación más compleja de beneficios.

El problema más profundo es que este “efecto de desplazamiento” es bidireccional: HBM ocupa una gran parte de la capacidad de obleas (se estima que para finales de 2026, el 25% de la capacidad total de la línea de producción de la industria, y el 31% en 2027), reduciendo aún más la oferta de DRAM convencional y elevando los precios; a su vez, los altos beneficios del DRAM tradicional incentivan a los fabricantes a invertir más en capacidad convencional, ralentizando la expansión de HBM. Ambos productos “faltan” y “ganan” al mismo tiempo, lo que hace que el mecanismo de autorregulación de la oferta se vea temporalmente ineficaz.

Grieta tres: El gasto de capital se dispara de 83 mil millones a 144 mil millones de dólares — ¿Por qué la capacidad no crece al mismo ritmo?

La paradoja más desconcertante para el mercado es que, pese a una expansión significativa del gasto de capital, la tensión en la oferta continúa intensificándose.

Un informe de JP Morgan del 22 de abril elevó su pronóstico de gasto de capital global en almacenamiento para 2027 de 83 mil millones de dólares en septiembre de 2025 a 144 mil millones, un aumento del 74%. Samsung planea gastar más de 110 billones de won en 2026 (unos 733 millones de dólares), alcanzando un récord histórico y un aumento del 21.7% respecto a 2025. SK Hynix estima un gasto de aproximadamente 20.5 mil millones de dólares, un incremento del 17%.

Sin embargo, las previsiones de oferta de bits de DRAM y NAND para ese período solo aumentaron en un 12-14%. El aumento del gasto de capital no se ha traducido en una expansión de capacidad proporcional — por tres principales razones:

Primero, la pérdida de superficie en chips HBM. Producir 1GB de HBM requiere entre 3 y 4 veces más superficie de oblea que el DRAM convencional, con tasas de rendimiento del 50-60%. Esta pérdida estructural no puede compensarse completamente con más inversión en equipos. Segundo, la prolongación de los plazos de entrega de equipos. Samsung ha pedido unas 20 máquinas EUV a ASML, por un valor superior a 10 billones de won, pero la entrega tarda entre 18 y 24 meses, y la construcción y puesta en marcha de nuevas líneas lleva al menos cinco años. Tercero, la “restricción estratégica” de los fabricantes. Tras una ronda anterior de expansión que resultó en pérdidas por sobreestimación de la demanda, Samsung y SK Hynix muestran una cautela evidente en la expansión de capacidad general de DRAM.

| Dimensión de restricción de oferta | Ejemplo específico | Impacto en el ciclo | | --- | --- | --- | | Pérdida de superficie en chips HBM | HBM ocupa 3-4 veces más superficie que el DRAM convencional en el mismo proceso | Reduce la producción efectiva de bits en un 7-10% | | Retrasos en entrega de equipos | Plazo de entrega de máquinas EUV de 18-24 meses | La nueva capacidad se retrasará hasta finales de 2027 | | Restricción estratégica | Nuevas fábricas tardan al menos cinco años en estar a plena capacidad | La expansión de capacidad tradicional será limitada | | Variabilidad en capacidad china | Xinjiang Longsys planea una nueva fábrica en 2027 | Podría ser la mayor variable en la oferta |

Al mismo tiempo, instituciones como Counterpoint son más agresivas: estiman que, entre 2026 y 2027, la capacidad de DRAM debe crecer a un ritmo del 12% anual para aliviar la escasez, pero la tasa real de crecimiento actual es solo del 7.5%. Para finales de 2027, la oferta global de DRAM solo cubrirá aproximadamente el 60% de la demanda del mercado.

Tres narrativas: alcistas, bajistas y moderadas

Sobre la sostenibilidad del superciclo de almacenamiento AI, el mercado ha formado tres narrativas distintas.

Narrativa alcista: La escasez estructural durará al menos hasta finales de 2027. Un informe de UBS predice que el superciclo de DRAM durará al menos hasta finales de 2027, y que la proporción de capacidad dedicada a HBM aumentará del 25% al 31%, “con una estructura de oligopolio que carece de incentivos para expandirse competitivamente”. JPMorgan, por su parte, considera que este superciclo podría extenderse hasta 2027 o 2028.

Narrativa bajista: La reversión del ciclo podría ocurrir en la segunda mitad de 2027. El 18 de mayo, Kyung Kook-hyun, ex presidente de Samsung Semiconductor, advirtió en un foro de la Academia Nacional de Ingeniería de Corea que las empresas chinas están expandiendo su capacidad a un ritmo agresivo, y que la estructura de oferta global podría experimentar un cambio importante en la segunda mitad de 2027, con una caída de precios que podría invertirse. Predice que, a más tardar, en la primera mitad de 2028, los efectos de la caída de precios serán evidentes. Si el retorno de inversión en AI no cumple las expectativas, las grandes tecnológicas podrían reducir su gasto de capital, y la demanda podría debilitarse, no solo presionando los precios, sino también reduciendo la demanda.

Narrativa moderada: El ciclo se alarga, pero no desaparece, solo cambia en su forma de fluctuación. SanDisk, pionero en promover un “nuevo modelo de negocio” — con contratos a largo plazo por 420 millones de dólares para asegurar ingresos futuros y garantías financieras por más de 110 millones de dólares como protección a la baja — está cambiando el modo tradicional de cotización trimestral en la industria de memorias. El CEO David Goeckeler afirmó: “El dolor en esta industria siempre ha sido por los ciclos de auge y caída.” La visión moderada es que el mercado de memorias sigue siendo cíclico, aunque esta ronda puede ser más larga y fuerte, y las valoraciones ya reflejan muchas expectativas optimistas — JPMorgan fijó un precio objetivo para SK Hynix en 1 millón de won, basado en un ratio precio-valor en libros de 2.7, con un sobreprecio del 30% respecto a los picos históricos.

Análisis de la veracidad de las narrativas: ¿Qué riesgos están subestimados?

Bajo estas narrativas principales, hay tres riesgos que a menudo se pasan por alto.

Primero, el riesgo de “sustitución de hardware y software”. En marzo de 2026, el mercado reaccionó negativamente ante preocupaciones de que la optimización de SRAM a nivel hardware y las técnicas de compresión de datos a nivel software podrían reducir el consumo de memoria en los sistemas AI. Esta controversia en sí misma indica que la historia de la demanda no es un monolito.

Segundo, el techo de la capacidad de los downstream. En el segundo trimestre de 2026, el mercado de DRAM para servidores mostró una clara disputa: los fabricantes upstream insisten en subir precios, mientras que los clientes downstream rechazan pagar precios altos y optan por comprar material de segunda mano o desmontado. Cuando estas conductas de sustitución alcancen un punto crítico, podrían ejercer una presión sustancial sobre los precios contractuales.

Tercero, la burbuja de valoración. SanDisk tiene actualmente un ratio precio-ventas de aproximadamente 16, frente a 4.5 a principios de año; su precio llegó a unos 1,410 dólares, con un aumento del 460% en 2026 hasta ahora. Aunque la compañía tenga fundamentos sólidos, una expansión de valoración de este tipo puede hacer que cualquier noticia de desaceleración en pedidos provoque una caída abrupta. Samsung ha subido alrededor del 100% en lo que va de año, y SK Hynix también ha visto un aumento significativo en su precio — el mercado ya incorpora expectativas de alta demanda sostenida durante los próximos dos o tres años, lo cual en sí mismo representa un riesgo.

Análisis del impacto en la industria: ¿Quién paga el precio del superciclo?

Este superciclo no es gratuito; los costos los están asumiendo los eslabones más débiles de la cadena de valor.

En el lado de la oferta, los principales fabricantes controlan firmemente los precios mediante estrategias escalonadas de restricción de suministro: desde entregas fijas, acuerdos NCNR, hasta prepago de reservas en abril-mayo de 2026, y contratos a largo plazo para 2027-2028. Los pequeños y medianos compradores enfrentan un dilema: “o aceptan precios elevados en el mercado spot, o simplemente no consiguen stock.” SK Hynix ha declarado claramente que en 2026 no podrá satisfacer toda la demanda de sus clientes, y que los proveedores tienen el control absoluto de los precios.

En el lado del consumo electrónico, se estima que los costos de DRAM y NAND representarán más del 33% del costo total de los teléfonos inteligentes de gama básica en 2026. Los fabricantes de PC están comprando de forma alarmante, y algunas marcas pequeñas están experimentando una “era de racionamiento” en la cadena de suministro — con algunos pedidos grandes con plazos de entrega superiores a 20-40 semanas. Incluso la división de teléfonos de Samsung enfrenta su primera posible pérdida anual por el aumento en los costos de chips de memoria.

En infraestructura AI, la escasez y los altos precios de los chips de memoria están actuando como un cuello de botella físico para la velocidad de despliegue de la IA. Aunque los grandes proveedores de nube han asegurado la mayor parte de la capacidad mediante acuerdos a largo plazo, la persistente restricción en la oferta significa que no todos los proyectos de IA podrán obtener el hardware necesario a tiempo — quizás la ironía más notable de este ciclo.

Conclusión

El superciclo de memoria AI es una transformación estructural real y profunda, no solo una especulación pasajera — esto debe confirmarse primero. Desde Samsung hasta SK Hynix y SanDisk, los datos financieros de los principales actores apuntan en la misma dirección: la demanda de chips de memoria para IA es real, enorme y sigue acelerándose.

Pero el superciclo nunca será un camino llano. Las grietas internas de Samsung, la jerarquía de beneficios entre DRAM tradicional y HBM, y la brecha temporal entre inversión en capital y expansión de capacidad — estas tres grietas, aunque no fatales por sí mismas, en conjunto pueden ser desencadenantes potenciales de un cambio de ciclo. Especialmente en un contexto donde las variables de capacidad china y el retorno de inversión en IA aún no están resueltas, 2027 podría ser el punto de inflexión decisivo para la dirección de este superciclo.

Lo que el mercado debe vigilar realmente no es cuándo terminará el superciclo, sino si antes de su fin hay suficientes actores preparados con respuestas ante ese eventual desenlace.