Señal contraria en el superciclo de memoria AI de Samsung: ¿Por qué DRAM es más rentable que HBM?

El 29 de abril de 2026, Samsung Electronics (005930.KS) entregó un informe financiero trimestral que podría reescribir la historia empresarial de Corea del Sur.

Ingresos consolidados de 133.87 billones de won surcoreanos (aproximadamente 901 mil millones de dólares), un aumento interanual del 69.2%, y un crecimiento secuencial del 42.7%, rompiendo récords históricos de ingresos en un solo trimestre. Beneficio operativo de 57.23 billones de won (unos 384 millones de dólares), un aumento interanual del 756.1%, y un incremento secuencial del 185.1%, que no solo superó las expectativas internas de la compañía, sino que también superó la previsión del mercado de 55.28 billones de won.

Una comparación más visual: en todo 2025, Samsung Electronics reportó un beneficio operativo total de 43.6 billones de won. Esto significa que, en solo un trimestre de 2026, sus ganancias ya superaron el total del año pasado.

En la estructura de beneficios, el departamento de soluciones de equipos (DS), responsable del negocio de semiconductores, se convirtió en el motor absoluto de beneficios. Este departamento reportó un beneficio operativo de 53.7 billones de won en un solo trimestre, representando aproximadamente el 93.9% del beneficio operativo total de la compañía, frente a solo aproximadamente 1.1 billones de won en el mismo período del año pasado. La tasa de beneficio operativo del departamento DS fue de aproximadamente 65.7%, siendo la principal fuerza impulsora que elevó la tasa de beneficio operativo general de Samsung a aproximadamente 42.8%.

Tras la publicación del informe, varias instituciones financieras internacionales ajustaron rápidamente sus objetivos de precio. Goldman Sachs elevó el precio objetivo de 005930 de 20.5 mil won a 26 mil won, manteniendo la calificación de "Compra"; Citigroup, el 12 de mayo, aumentó significativamente su objetivo de 30 mil won a 46 mil won y activó una observación de catalizadores alcistas a 90 días; Nomura, el 18 de mayo, elevó el objetivo de 340 mil won a 590 mil won.

Sin embargo, lo que realmente hizo reflexionar al mercado no fueron estos números financieros ya plenamente valorados, sino una frase que los ejecutivos soltaron inadvertidamente durante la conferencia telefónica de resultados: en el momento actual, la rentabilidad de la memoria DRAM tradicional es en realidad superior a la de HBM.

Esta declaración entra en conflicto directo con la percepción dominante del mercado. En la narrativa del "superciclo de memoria AI", HBM se considera la categoría con mayores márgenes y barreras de entrada más altas. ¿Por qué los ejecutivos lanzan en su mejor trimestre histórico una señal tan "contraria a la intuición"? La lógica comercial subyacente es mucho más compleja que los datos financieros en sí.

Una estructura de beneficios "contraintuitiva"

La afirmación de que la rentabilidad de la DRAM tradicional supera a la de HBM no es exclusiva de Samsung, sino que cuenta con datos claros del sector que la respaldan.

Según el último informe publicado por la firma de investigación de semiconductores TrendForce el 27 de mayo de 2026, debido a mecanismos de negociación anuales y otros factores, en el primer trimestre de 2026, el valor de producción y los márgenes de beneficio de las obleas de HBM fueron superados por DDR5 RDIMM. TrendForce ya había señalado en enero que los precios y márgenes de beneficios de la DRAM para servidores habían superado a los de HBM, convirtiéndose en la categoría más rentable.

Específicamente, los ciclos de precios de HBM difieren estructuralmente de los de la DRAM estandarizada. Los contratos de HBM suelen negociarse anualmente, con períodos de bloqueo más largos y ajustes de precios que llegan con retraso respecto al mercado spot; en cambio, los precios de la DRAM tradicional (como DDR5) son más sensibles y reflejan más rápidamente las variaciones en la oferta y demanda.

Desde el punto de vista de los datos de precios, esta diferencia es aún más evidente. En el primer trimestre de 2026, los contratos de DRAM general aumentaron entre un 90% y un 95% trimestre a trimestre, mientras que los de NAND Flash subieron entre un 55% y un 60%. En un contexto donde la capacidad de producción de HBM fue ampliamente desplazada, la oferta de DRAM tradicional se contrajo incluso más rápido que la demanda, formando una espiral positiva de "más escasez, más caro, y mayores beneficios".

El comportamiento del mercado global de DRAM también confirma esta tendencia. Según datos publicados por Counterpoint Research el 27 de mayo de 2026, los ingresos globales de DRAM en el primer trimestre aumentaron un 80% respecto al trimestre anterior y un 260% interanual, alcanzando un récord de 97 mil millones de dólares, a solo un paso de los mil millones en un solo trimestre. Samsung mantiene una participación de mercado del 38%, consolidándose como líder en ingresos de DRAM a nivel mundial.

Detrás de esta inversión de márgenes, existe una lógica de capacidad aún más profunda: el efecto de congestión de capacidad. Las obleas de HBM, con dimensiones de chip significativamente mayores que las de la DRAM estándar, consumen mucho más capacidad de producción de obleas. Con el aumento de las entregas de HBM, una gran parte de la capacidad de proceso avanzado se ocupa, reduciendo la oferta efectiva de DRAM tradicional. La desajuste entre oferta y demanda, junto con mecanismos de precios más flexibles, impulsa finalmente a que la DRAM tradicional supere en márgenes marginales a la rígida en precios HBM.

El rendimiento general del mercado global de DRAM también refleja esta dinámica. Según datos de Counterpoint Research, en el primer trimestre de 2026, los ingresos globales de DRAM aumentaron un 80% respecto al trimestre anterior y un 260% interanual, alcanzando 97 mil millones de dólares, casi alcanzando los mil millones en un solo trimestre. Samsung domina con un 38% de cuota de mercado.

Este fenómeno de inversión de márgenes también tiene una lógica de capacidad aún más profunda: el efecto de congestión de capacidad. Las obleas de HBM, con dimensiones de chip mucho mayores que las de la DRAM convencional, consumen mucho más capacidad de producción de obleas. Con la expansión de entregas de HBM, se ocupa gran parte de la capacidad de proceso avanzado, reduciendo la oferta efectiva de DRAM tradicional. La desajuste entre oferta y demanda, junto con mecanismos de precios más flexibles, hace que la DRAM tradicional supere en márgenes a la rígida en precios HBM.

La realidad competitiva en la categoría HBM: bajo el halo

Para entender la inversión de beneficios entre DRAM tradicional y HBM, hay que volver a analizar la estructura competitiva del mercado de HBM.

En la generación clave HBM4, Samsung fue la primera en lograr en febrero de 2026 la producción y entrega a nivel mundial de HBM4, realizando entregas comerciales a clientes. La compañía estima que en 2026 las ventas totales de HBM superarán en más de tres veces las del año anterior, y los ingresos de HBM4 superarán en más de la mitad los ingresos totales de HBM desde el tercer trimestre.

En cuanto a la innovación tecnológica, Samsung también aceleró el desarrollo de HBM4E. En la conferencia GTC de marzo de 2026, Samsung mostró por primera vez muestras físicas de HBM4E, con una velocidad de 16 Gbps por pin y un ancho de banda total que supera los 4.0 TB/s, un aumento de aproximadamente el 21% respecto a HBM4. Las primeras muestras de ingeniería de HBM4E comenzaron a producirse en el segundo trimestre, con entregas prioritarias a clientes principales para validación de sistemas.

Pero los datos de participación de mercado revelan otra realidad. Según TrendForce, en 2026, la participación de SK Hynix en el mercado de HBM se estima en aproximadamente el 50%, mientras que Micron aumentó al 28%. Los datos de clasificación de ingresos globales de DRAM de Counterpoint muestran que Samsung mantiene una cuota del 38%, seguida por SK Hynix con el 29% y Micron con el 22%.

Aunque Samsung tiene ventaja en la producción en masa de HBM4, SK Hynix, con una relación más prolongada con Nvidia, mantiene una ventaja en la asignación de volumen de suministro. Esta "barrera de pionero" no se basa solo en parámetros técnicos, sino en ciclos de certificación prolongados, historial de validaciones conjuntas y confianza en la cadena de suministro. La estrategia de Samsung para avanzar en cuota en HBM4 y futuras generaciones dependerá de si puede mantener el ritmo tecnológico y convertir su ventaja de lanzamiento en una participación de suministro real y significativa.

La lucha por el poder de fijación de precios: contratos anuales y retrasos en beneficios

El informe de TrendForce de mayo de 2026 revela la contradicción central en el mecanismo de fijación de precios de HBM: los contratos de HBM para 2026 utilizan un marco de precios anual, con precios ya fijados en la segunda mitad de 2025. Cuando en el primer trimestre el mercado de DRAM en general entró en una escasez total debido a la explosión de la demanda de IA, los precios de los contratos de HBM permanecieron "fijados" en niveles relativamente bajos, sin poder ajustarse al alza como los DRAM estandarizados.

Además, en 2026, nuevos proveedores entraron de manera sustancial en el mercado de HBM, aumentando la oferta y ejerciendo presión sobre los compradores en las negociaciones de contratos, limitando aún más la capacidad de subir precios en el corto plazo.

Este retraso en la fijación de precios ha provocado reacciones fuertes en los proveedores. TrendForce señala que, a medida que en el segundo trimestre de 2026 se inicien las negociaciones para los contratos de HBM4 de 2027, los fabricantes ajustarán significativamente los precios de HBM para reflejar el desequilibrio entre oferta y demanda y los costos de fabricación de nueva generación. La mayor rentabilidad de la DRAM tradicional da a los fabricantes mayor poder de negociación: si la rentabilidad de HBM se mantiene por debajo de la de la DRAM convencional, los fabricantes no tendrán incentivos económicos para ampliar la oferta de HBM, lo que empujará a los compradores a aceptar precios de contrato más altos.

La estrategia de SK Hynix, por su parte, es diferente. Según el informe de TrendForce, en un contexto donde los precios de RDIMM superaron a los de HBM, SK Hynix declaró que "no persiguen beneficios a corto plazo, sino que buscan un equilibrio a largo plazo entre HBM y DRAM convencional". Esta declaración diferenciada sugiere que Samsung y SK Hynix podrían estar divergiendo en sus estrategias de asignación de capacidad: Samsung prefiere maximizar beneficios a corto plazo aprovechando los márgenes altos de la DRAM tradicional, mientras que SK Hynix se enfoca en consolidar la posición de suministro a largo plazo de HBM.

La huelga laboral de mayo de 2026: riesgos de suministro en un superciclo

En un mercado donde la capacidad ya está completamente ajustada, Samsung Electronics enfrentó en mayo de 2026 su mayor conflicto laboral desde su fundación. El sindicato de Samsung anunció una huelga general de 18 días. Exigían que el 15% de las ganancias operativas anuales se destinaran a bonos de rendimiento para los empleados, mientras que la dirección solo aceptó el 10% y rechazó hacer permanente el sistema de bonos.

El 18 de mayo, el tribunal de Suwon aprobó parcialmente la orden de restricción de huelga presentada por Samsung, ordenando que durante la huelga se mantuvieran las tareas relacionadas con la seguridad y la atención, y que no se permitiera la deterioración de las materias primas, con una multa diaria de 300 millones de won si se incumplía. La mediación laboral y empresarial se rompió el 20 de mayo, pero en la segunda mitad del mes ambas partes alcanzaron un acuerdo salarial provisional. Tras una votación, el 73.7% de los empleados sindicalizados aprobó el acuerdo, evitando así una huelga masiva.

La raíz profunda de esta huelga radica en la distribución desigual de beneficios en el ciclo de IA. Aunque las ganancias operativas de Samsung se dispararon un 756% en el primer trimestre, los empleados del departamento de chips sintieron que no habían recibido una compensación proporcional a esta explosión de beneficios impulsada por IA. Por otro lado, SK Hynix ya había llegado a un acuerdo con el sindicato en septiembre de 2025, eliminando el límite anterior de bonos (que estaba en un 1000% del salario base) y destinando el 10% de las ganancias operativas anuales a un fondo de bonos para todos los empleados, con una vigencia de diez años. Se estima que en 2026, los bonos per cápita de los empleados de SK Hynix podrían alcanzar entre 600 y 700 millones de won, mientras que los empleados del departamento de chips de Samsung tienen bonos que no alcanzan a un tercio de esa cifra. Esta brecha salarial ha provocado en los últimos meses la fuga de unos 200 ingenieros clave de Samsung hacia SK Hynix.

Desde una perspectiva industrial, si la huelga afecta el ritmo de producción, las consecuencias se transmitirán rápidamente en toda la cadena de suministro global de semiconductores. JPMorgan estima que una huelga masiva en Samsung podría reducir las ganancias operativas en unos 2.1 a 3.5 billones de won y disminuir los ingresos del departamento de semiconductores en aproximadamente un 1-2%. KB Securities de Corea del Sur calcula que si solo entre el 30% y 40% de los empleados sindicalizados dejan de trabajar, se podría perturbar entre un 3% y un 4% de la oferta global de DRAM. En un contexto de demanda y oferta en expansión, cualquier pérdida de capacidad real impulsará aún más los precios del almacenamiento.

La estructura de tres niveles del superciclo

Integrando toda esta información, se puede identificar claramente la estructura de tres niveles del superciclo de memoria AI actual:

Primer nivel: demanda estructural impulsada. A diferencia de los ciclos de recuperación a corto plazo impulsados por la renovación de dispositivos electrónicos de consumo, la actual tendencia en almacenamiento está motivada por una reevaluación de la demanda estructural derivada del entrenamiento, inferencia y expansión de centros de datos a gran escala para IA. Nomura Securities en su informe señala: a medida que la demanda de semiconductores IA pasa del entrenamiento a la inferencia, la demanda de memoria está entrando en una fase de expansión exponencial. La demanda de memoria KV-cache en inferencia depende de múltiples variables como la base de usuarios, la duración de participación, la complejidad de las tareas de IA y el consumo de tokens, lo que implica que en los próximos cinco años la demanda podría crecer miles de veces.

Segundo nivel: congestión de capacidad y rigidez de oferta. La expansión masiva de HBM ha ocupado gran parte de la capacidad de obleas de procesos avanzados, desplazando directamente la oferta efectiva de DRAM tradicional. Tras un ciclo bajista, los fabricantes de almacenamiento han sido cautelosos en sus decisiones de inversión, y la liberación de nueva capacidad suele tardar entre 12 y 18 meses. IDC China estima que este ciclo de aumento de precios en almacenamiento se extenderá más allá de 2026, posiblemente hasta 2027 o 2028.

Tercer nivel: redistribución del poder de fijación de precios. Con los grandes proveedores de servicios en la nube firmando acuerdos de suministro a largo plazo y asegurando precios bajos, los precios de DRAM en 2026 muestran una estructura de "fácil de subir, difícil de bajar". Al mismo tiempo, el marco de precios anual de HBM enfrenta una reconfiguración fundamental, y en las negociaciones de contratos de 2027 se espera que los aumentos de precio superen ampliamente las expectativas del mercado. TrendForce indica que los fabricantes ajustarán dinámicamente la asignación de capacidad en función de los beneficios relativos de HBM y DRAM convencional.

La interacción entre estos tres niveles determina la naturaleza única del superciclo actual: no solo es una prosperidad impulsada unilateralmente por la demanda, sino también una "prosperidad disciplinada" bajo restricciones de oferta rígida —los fabricantes, en busca de maximizar beneficios, tienen incentivos para mantener, en lugar de romper, la estructura actual de oferta y demanda. Esto hace que la duración y estabilidad del ciclo sean muy diferentes de los tradicionales ciclos de almacenamiento de "prosperidad-exceso-colapso".

Conclusión: la "tensión interna" del superciclo

El informe financiero del primer trimestre de 2026 de Samsung, en apariencia, es la culminación perfecta del "superciclo de memoria AI": ingresos y beneficios en máximos históricos, crecimiento exponencial, y triplicación de envíos de HBM. Pero, debajo de estas cifras deslumbrantes, la declaración en la conferencia telefónica sobre que "la rentabilidad de la DRAM tradicional actualmente supera a la de HBM" revela una tensión interna ignorada en la narrativa del superciclo.

Esta tensión se manifiesta en múltiples niveles: la inversión de márgenes entre DRAM tradicional y HBM, la rigidez en la fijación de precios anual de HBM y la próxima reconfiguración de contratos, la competencia continua en cuota de mercado y ritmo tecnológico entre Samsung y SK Hynix, y la disputa entre beneficios de IA y distribución interna de beneficios. Estas tensiones no niegan el superciclo, sino que son claves para entender su carácter único.

Desde la perspectiva de inversión, la valoración actual de 005930 se encuentra en una ventana de cambio importante. Cuando el mercado asimile completamente el crecimiento explosivo en beneficios totales, el próximo foco de precios se centrará en la salud y sostenibilidad de la estructura de beneficios — si los contratos de HBM podrán recuperarse en 2027, si los riesgos laborales podrán resolverse institucionalmente, y si la cuota de suministro de HBM podrá lograr avances disruptivos. La evolución de estas variables determinará si Samsung Electronics puede pasar de ser un "beneficiario del ciclo" a un "líder estructural" en el superciclo de memoria AI.