Bajo consumo + alta fiabilidad, ya existe la base de hardware para la IA en el borde.

Georgia Institute of Technology en Estados Unidos ha desarrollado una nueva memoria flash ferroelectrica NAND, que utiliza material de hafnio oxido compatible con procesos de silicio, con propiedades ferroelectricas que se autopolizan y pueden invertirse. Esta memoria flash tiene una fuerte capacidad de procesamiento de tareas de IA, una resistencia a radiación 30 veces mayor que la de las memorias flash tradicionales, y puede soportar hasta 1 millón de rad, lo que equivale a 100 millones de exposiciones a rayos X. El artículo fue publicado en Nano Letters, mostrando su potencial de aplicación en almacenamiento de información, sensores, IA y chips de bajo consumo energético.