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La nueva memoria NAND flash resistente a la radiación tiene una capacidad 30 veces mayor que la memoria flash tradicional
Científicos de la Universidad de Georgia Tech en Estados Unidos han desarrollado un nuevo tipo de memoria NAND flash.
Puede procesar tareas de inteligencia artificial (IA) de manera eficiente y soportar la radiación extrema en el espacio, con una resistencia a la radiación que alcanza 30 veces la de la NAND flash tradicional.
El artículo de investigación relacionado ha sido publicado en la última edición de la revista "Nano Letters".
La nueva memoria NAND flash aprovecha la ferroelectricidad del material hafnio oxi-nitrurado, compatible con procesos de silicio, que permite que el material genere espontáneamente polarización en un rango de temperatura determinado, y la dirección de la polarización puede invertirse bajo un campo eléctrico externo.
Esta característica hace que los materiales ferroelectricos tengan un potencial de aplicación en almacenamiento de información, sensores, inteligencia artificial y en chips de próxima generación de bajo consumo energético.
Los resultados de las pruebas muestran que esta memoria ferroelectrica puede soportar hasta 1 millón de rads (dosis de absorción de radiación), equivalente a 100 millones de exposiciones a rayos X, siendo 30 veces más resistente a la radiación que los dispositivos de almacenamiento tradicionales.
(Periódico de Ciencia y Tecnología)