Semiconductores de potencia japoneses que han caído en desgracia

En marzo de 2026, la industria de semiconductores de potencia en Japón anunció dos noticias impactantes en pocos días que podrían alterar la estructura del sector.

El 2 de marzo, The Nikkan Kogyo Shimbun reveló que Mitsubishi Electric había iniciado negociaciones con Toshiba para reestructurar su negocio de semiconductores de potencia; solo cuatro días después, Nihon Keizai Shimbun publicó otra noticia importante: DENSO, gigante de componentes automotrices, presentó una oferta de adquisición total a ROHM, fabricante de semiconductores, por un monto que alcanza los 1.3 billones de yenes (aproximadamente 83 mil millones de dólares), la mayor operación de fusiones y adquisiciones en Japón en los últimos años en este sector.

Tras la noticia, el mercado reaccionó de forma dividida. Algunos apoyan que esto podría marcar el inicio de una era de consolidación en la industria japonesa de semiconductores de potencia; otros cuestionan si la estrategia de DENSO responde a una planificación a largo plazo o si simplemente está comprando un problema a un precio elevado.

Independientemente de las opiniones, ambos eventos apuntan a un mismo hecho: las profundas contradicciones estructurales acumuladas en la industria japonesa de semiconductores de potencia están explotando simultáneamente. Este antiguo imperio tecnológico, que dominó el mundo, ahora se ve obligado a buscar nuevas vías ante las presiones internas y externas.

Los días de gloria: la era dorada de los semiconductores de potencia en Japón

Hace veinte años, Japón vivía su época de mayor auge en semiconductores de potencia.

A diferencia de los chips lógicos o de memoria, que aparecen con frecuencia en la opinión pública, los semiconductores de potencia son componentes esenciales en la civilización industrial, actuando como interruptores de corriente. Desde motores en fábricas hasta sistemas de tracción de trenes de alta velocidad, desde aires acondicionados domésticos hasta módulos de conversión de energía en vehículos eléctricos, en casi todos los ámbitos relacionados con el control y la conversión de energía eléctrica, los semiconductores de potencia son imprescindibles.

Para Japón, un país con una dependencia del 90% en importaciones energéticas, estos héroes invisibles que mejoran significativamente la eficiencia energética no solo son clave para la competitividad industrial, sino que también tienen un gran valor estratégico.

En 2021, según el ranking global de semiconductores de potencia de Omdia, cinco empresas japonesas estaban en el top 10: Mitsubishi Electric (4º), Fuji Electric (5º), Toshiba (6º), Renesas Electronics (9º) y ROHM (10º), sumando más del 20% del mercado mundial.

Detrás de estos números, se refleja la acumulación de medio siglo de tecnología y poder en la cadena de suministro por parte de Japón. Estas cinco compañías han establecido barreras tecnológicas en dispositivos clave como IGBTs y MOSFET, gracias a un control de calidad preciso y una respuesta altamente personalizada a las necesidades de sus clientes, ganando la confianza de la industria global y del sector automotriz.

El gobierno japonés también tiene grandes ambiciones: en 2024, un borrador estratégico propuso aumentar la cuota de mercado global de las empresas japonesas del 20% al 40% para 2030, consolidando los semiconductores de potencia como un nuevo motor de crecimiento para la manufactura japonesa. El Ministerio de Economía, Comercio e Industria (METI) ha otorgado subsidios sustanciales: 70.5 mil millones de yenes a Fuji Electric y DENSO en alianza, y 129.4 mil millones de yenes a ROHM y Toshiba, evidenciando la intención política.

Pero justo cuando el plan parecía más ambicioso, la realidad empezó a avanzar en dirección contraria a toda velocidad.

El impacto de China: doble presión en mercado final y cadena de suministro

La crisis de los semiconductores de potencia en Japón no puede entenderse sin considerar a China. En los últimos cinco años, la influencia de China ha sido doble: por un lado, la desaparición del mercado final, y por otro, el avance en la cadena de suministro de chips.

Primero, el mercado final. Los vehículos eléctricos (VE) son la aplicación más importante para semiconductores de potencia, especialmente los dispositivos de carburo de silicio (SiC). Japón esperaba que la ola global de electrificación impulsara una demanda explosiva, pero la realidad es que la penetración de VE en Japón aún no supera el 10%, muy por detrás del más del 60% en China.

Empresas japonesas profundamente vinculadas a Toyota y Honda, como ROHM, Mitsubishi Electric y Fuji Electric, basan su expansión en la capacidad de producción de SiC en la premisa de que la industria automotriz japonesa se electrificará rápidamente. Cuando esa expectativa no se cumple, los retornos de las grandes inversiones se retrasan indefinidamente.

En cuanto a la cadena de suministro, el impacto también es notable.

Primero, los dispositivos de silicio como IGBTs y MOSFET. El IGBT, uno de los componentes más importantes en semiconductores de potencia, es esencial en los sistemas eléctricos de los VE: motor, control y gestión de baterías. Es un producto de alto valor añadido en Japón, donde Mitsubishi Electric y Fuji Electric mantienen ventajas en el mercado global de módulos IGBT.

El auge mundial de los vehículos eléctricos y los inversores fotovoltaicos ha cambiado radicalmente la competencia en la industria de IGBTs. Las empresas chinas, como CRRC Times Electric, StarPower Semiconductor y BYD Semiconductor, han crecido rápidamente gracias a la demanda en estos mercados, formando un modelo de integración “dispositivo + módulo + sistema completo”, con empresas como BYD que desarrollan chips IGBT, módulos de potencia y sistemas de propulsión, adaptándose a la competencia en la era de los vehículos eléctricos. Japón, por su parte, ha quedado rezagado por su dependencia del lento crecimiento del mercado industrial y su cautela respecto al mercado de VE, además de los altos costos de fabricación y una cadena de suministro conservadora, lo que ha permitido a las empresas chinas ganar cuota de mercado.

En el caso de MOSFET e IGBT de baja y media tensión, las empresas chinas, con mejor control de costos y mayor demanda, han logrado reemplazar a Japón en segmentos tradicionales, alcanzando una participación global superior al 10% en MOSFET, desplazando a los fabricantes japoneses en estos mercados.

En cuanto al carburo de silicio, la cadena de valor se divide en dos: la producción de sustratos (substratos) y la fabricación de dispositivos. Japón tiene ventajas tradicionales en la fabricación de dispositivos, especialmente ROHM, que ha demostrado una capacidad de integración vertical de nivel mundial en SiC MOSFET. Sin embargo, los sustratos son la clave de toda la cadena: representan entre el 30% y 40% del costo total de producción de SiC, y China, con su bajo costo energético, ha logrado avances rápidos. Entre 2022 y 2025, empresas como Tianyu Advanced y Tanke Heda han pasado de ser seguidoras a líderes del mercado.

El panorama global de sustratos de SiC ha cambiado radicalmente. Tianyu Advanced tiene aproximadamente un 17.3% del mercado mundial, y Tanke Heda cerca del 17.1%, sumando más de un tercio del mercado global. La capacidad de producción de Tianyu en Shanghái ya alcanza las 300,000 piezas anuales en wafers de 8 pulgadas, con planes de llegar a 960,000; Tanke Heda también tiene varias plantas en Beijing, Jiangsu y Shenzhen, con una capacidad de 250,000 wafers en Shenzhen para 2024. Además, Tianyu fue la primera en lograr producción en masa de wafers de 8 pulgadas y ha lanzado wafers de 12 pulgadas, aumentando la cantidad de chips por wafer en más del 40%.

El costo también ha caído drásticamente: actualmente, el costo de producción de sustratos de SiC en China es aproximadamente un 60% menor que el de importados. Un ejemplo: un sustrato de 6 pulgadas cuesta unos 18,000 yenes (unos 120 dólares), frente a los 40,000 yenes (unos 270 dólares) en Japón. Esta diferencia hace que cualquier fabricante japonés que dependa de importaciones esté en desventaja frente a competidores chinos.

Mientras China lidera en sustratos, la carrera en dispositivos SiC también se acorta rápidamente.

La fabricación de dispositivos SiC requiere una precisión extrema, especialmente en procesos como grabado, implantación de iones y oxidación, que son mucho más exigentes que en silicio. Hace tres años, se pensaba que la brecha tecnológica entre China y Japón/Europa en SiC era de 3 a 5 años; hoy, gracias a la aceleración tecnológica, algunos productos chinos ya están en igualdad de condiciones con los japoneses, y la diferencia se estima en menos de 3 años, incluso en 2-3 años en ciertos segmentos.

Se estima que en 2024, el mercado chino de dispositivos SiC alcanzará unos 20 mil millones de yuanes, creciendo un 50% anual, y en 2028 superará los 40 mil millones. La participación de las empresas chinas en el mercado global de SiC ha pasado del 7.1% en 2022 al 13.4% en 2024.

Para Japón, el mayor reto en SiC no es solo la competencia en dispositivos, sino la autodestrucción que implica su modelo de negocio verticalmente integrado en un mercado cada vez más competitivo.

Las empresas japonesas, que se enorgullecen de su modelo IDM (fabricación vertical integrada), controlan toda la cadena desde los sustratos hasta el encapsulado. En épocas de altas barreras tecnológicas y pocos competidores, esto ha sido una fortaleza; pero cuando las empresas chinas, con división del trabajo y costos bajos, atacan tanto en sustratos como en dispositivos, los altos costos fijos y la depreciación acelerada de la inversión se vuelven un lastre.

Por ejemplo, en el año fiscal 2025, las pérdidas netas de ROHM alcanzaron los 50 mil millones de yenes, de los cuales 30 mil millones corresponden a deterioro de activos por sobreexpansión y desaceleración de la demanda, con una utilización de capacidad por debajo del 30%. Esto encarece cada wafer y hace casi imposible alcanzar el punto de equilibrio.

Heridas internas: fragmentación y cooperación superficial

La presión externa es fuerte, pero la verdadera debilidad de Japón en semiconductores de potencia radica en su fragmentación interna. Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Toshiba, ROHM y DENSO, los cinco gigantes, tienen cuotas de mercado inferiores al 5% cada uno, y se ven como competidores entre sí, aunque en el discurso expresan voluntad de colaborar.

El caso de ROHM y Toshiba ejemplifica esto. En 2023, ROHM participó en la privatización de Toshiba con 300 mil millones de yenes, y se pensaba que esto sería el inicio de una alianza complementaria: la tecnología de chips para vehículos eléctricos de ROHM y la experiencia en componentes industriales de Toshiba podrían formar un conjunto competitivo a nivel europeo.

Aunque iniciaron producción conjunta y anunciaron una colaboración profunda en I+D, ventas y compras en 2024, en realidad, tras dos años, la cooperación está estancada. Fuentes cercanas indican que ROHM ha abandonado en la práctica cualquier colaboración más allá de la producción conjunta.

La causa es sencilla pero difícil de resolver: las empresas japonesas dependen mucho de su capacidad de desarrollar productos a medida para clientes, y protegen casi por instinto sus tecnologías propietarias, siendo muy cautelosas incluso con sus clientes, sin mencionar a los competidores.

La desconfianza mutua es la primera barrera para una integración profunda. La segunda es la falta de un líder claro: todas las empresas tienen cuotas similares y ventajas distintas, y ninguna está dispuesta a ceder en las negociaciones de integración. Según expertos, en Japón nadie quiere admitir que ha sido adquirido.

Este enfrentamiento, donde cada uno prefiere ser cabeza en su territorio en lugar de ceder, no es exclusivo de los semiconductores de potencia. La historia de la fusión fallida entre Honda y Nissan, que intentaron crear el tercer mayor grupo automotriz mundial, es un ejemplo: en pocos meses, la disputa por el control, la valoración y la dirección hizo fracasar la unión, volviendo a una cooperación dispersa.

Un dato interesante es que Toshiba y Tianyu Advanced firmaron un memorando de entendimiento para suministrar obleas, pero Toshiba luego canceló esa colaboración. Esto muestra que las empresas siguen actuando según sus propios intereses, y la llamada alianza japonesa de semiconductores parece más un documento de política que una realidad empresarial concreta.

Por otro lado, el ciclo del mercado en 2024-2025 se contrae rápidamente, reduciendo aún más la voluntad y capacidad de integración. ROHM, en su ejercicio fiscal hasta marzo de 2025, registró una pérdida neta de 50 mil millones de yenes, la primera en 12 años, y su plan de inversión en expansión de SiC de 2,8 billones de yenes se redujo a 1,5 billones, con una disminución del 36% en gastos de capital.

Renesas Electronics sufrió aún más: pagó 2 mil millones de dólares en anticipos a Wolfspeed para asegurar suministro de sustratos de SiC, pero Wolfspeed quebró y se reestructuró, con pérdidas de 175 mil millones de yenes en la primera mitad de 2025, la peor en la historia del período.

Mitsubishi Electric también ha retrasado indefinidamente su plan de expansión en SiC en Kumamoto, y su ambicioso plan de inversión de 3 billones de yenes en cinco años se ha reducido significativamente.

La apuesta audaz de DENSO: ¿estrategia de adquisición o simple rescate?

En este contexto, la propuesta de adquisición de DENSO rompe el silencio. Desde que firmaron un acuerdo de cooperación en mayo de 2025, hasta que aumentaron su participación al 5% en julio y presentaron una oferta formal en febrero de 2026, DENSO no parece ver a ROHM solo como una inversión financiera, sino como una pieza clave en su transición hacia un proveedor de soluciones semiconductoras y sistemas integrados.

Para entender sus motivaciones, hay que mirar a Toyota. El presidente de DENSO, Shinji Koseki, anunció en la feria de movilidad japonesa de 2025 que lanzarán en 2029 un nuevo sistema de control de vehículos equipado con chips de última generación y semiconductores de alto rendimiento diseñados para resistir condiciones extremas. La idea subyacente es que DENSO no quiere seguir siendo solo un ensamblador de componentes, sino que aspira a controlar toda la cadena: diseño, fabricación e integración de semiconductores, convirtiéndose en un pilar clave en la estrategia de electrificación de Toyota.

ROHM es el candidato ideal para esta visión. Como uno de los pocos fabricantes que ha logrado una integración vertical en SiC, con aproximadamente un 14% del mercado global de SiC y tecnología avanzada en MOSFET de SiC para inversores de VE, adquirir ROHM permitiría a DENSO complementar sus deficiencias en chips lógicos y analógicos, construir una cadena de suministro completa y mitigar riesgos como la quiebra de Wolfspeed.

Pero el mercado tiene otra opinión. Tras la noticia, las acciones de DENSO cayeron casi un 5.6%. Los inversores dudan: ¿puede DENSO, que acaba de registrar su primera pérdida en 12 años y tiene baja utilización de capacidad, realmente revertir la tendencia de ROHM? Además, la estructura de clientes de ROHM, que atiende principalmente a varios proveedores automotrices de primer nivel, podría cambiar si pasa a ser parte de DENSO, arriesgando la pérdida de otros clientes.

Un efecto en cadena más complejo sería: si DENSO adquiere ROHM, ¿cómo gestionará su relación con Fuji Electric en SiC? ¿Y qué pasará con la relación con Toshiba, que ya es inestable? La adquisición de 1.3 billones de yenes plantea múltiples dilemas de intereses y prioridades.

SiC y GaN: la guerra de tercera generación de semiconductores

La adquisición de ROHM por parte de DENSO es, en esencia, una reconfiguración en el campo de los semiconductores de tercera generación. Pero no solo en SiC, sino también en GaN (nitruro de galio), la competencia es feroz.

GaN tiene una lógica diferente a SiC. Es más adecuado para aplicaciones de menos de 1000 voltios, como cargadores de vehículos eléctricos y inversores automotrices. GaN puede ofrecer el mismo rendimiento en un tercio del tamaño de los dispositivos de SiC, y con la tendencia a la reducción de costos, su relación calidad-precio se ha vuelto muy atractiva.

China ha avanzado rápidamente en GaN. En 2024, InnoPower, con tecnología de producción de GaN en obleas de 8 pulgadas, se convirtió en la primera en lograr producción en masa a esa escala, superando a Japón y Europa. La capacidad de producción de InnoPower en 8 pulgadas ya alcanza las 13,000 wafers mensuales, con planes de llegar a 70,000 en cinco años. Además, es el único proveedor que cubre toda la gama de voltajes de 15V a 1200V, en aplicaciones que van desde carga rápida, centros de datos, vehículos eléctricos y LiDAR.

¿Por qué Japón quedó rezagado en GaN? En los años 2015-2018, las principales prioridades japonesas fueron ampliar la capacidad de SiC y mantener ventajas en IGBTs y MOSFET de ultra alta tensión, por lo que no invirtieron en GaN, que entonces se usaba principalmente en cargadores rápidos y estaciones base. La expansión de GaN fue mucho más rápida de lo esperado, y ahora se extiende a sistemas de alimentación de centros de datos, cargadores de vehículos y aplicaciones de inteligencia artificial, desplazando a los fabricantes japoneses.

Empresas como Sumitomo Chemical y ROHM han comenzado a invertir en GaN, pero aún están lejos de InnoPower en escala y alcance. Mitsubishi Chemical planea reducir costos mediante producción en masa, pero la producción en volumen aún no está lista.

El desafío ahora es que la competencia en GaN no solo es tecnológica, sino también en ecosistema: quien tenga la gama más amplia de productos, la base de clientes más sólida y la mayor escala, dominará la próxima explosión de aplicaciones GaN. En estos aspectos, InnoPower y otros pioneros ya llevan ventaja, y Japón no puede esperar romper esa supremacía con un solo producto.

Desde una perspectiva más amplia, Japón en semiconductores de tercera generación tiene una ventaja tecnológica de 1-2 años en silicio, 3 años en SiC y 2-3 años en GaN. Aunque estas diferencias parecían amplias hace unos años, hoy, con la rápida aceleración de las empresas chinas, esa brecha se vuelve frágil. Los expertos advierten que Japón ya no tiene mucho tiempo para formar una estrategia unificada contra China; la integración no es una opción, sino una necesidad.

Cuarta generación: ¿la última carta de Japón o un nuevo campo de batalla?

Pero si consideramos la historia de Japón como una caída unidireccional, sería simplificar demasiado. Mientras pierde terreno en la tercera generación, Japón está sembrando silenciosamente las semillas en la cuarta.

La cuarta generación incluye materiales como Ga₂O₃, diamante, AlN, y otros de banda prohibida ultra ancha o estrecha. Sus propiedades en condiciones extremas superan ampliamente a las actuales: Ga₂O₃ tiene un campo de ruptura tres veces mayor que el SiC, y su conductividad es diez veces superior; el diamante, con una conductividad térmica 13 veces mayor que el silicio, es considerado el material definitivo para potencia. Se estima que en 2030, el mercado global de dispositivos de Ga₂O₃ alcanzará unos 1.5 mil millones de dólares, el 40% del mercado de SiC.

Japón tiene cierta experiencia en estos materiales. Por ejemplo, Novel Crystal Technology, desde 2012, produce en masa obleas de Ga₂O₃ de 2 y 4 pulgadas, con una capacidad prevista de 20,000 wafers anuales en 2025. Flosfia ha desarrollado diodos Schottky de Ga₂O₃ con resistencia de contacto mínima, ya en prueba en aplicaciones de Denso. Se proyecta que el mercado global de dispositivos de Ga₂O₃ alcance los 1,5 mil millones de dólares en 2030, y que Japón tenga una participación significativa.

El diamante también avanza en Japón. La Universidad de Waseda ha desarrollado dispositivos de potencia de diamante capaces de manejar más de 6.8 amperios, y startups como Power Diamond Systems y Ookuma Diamond Device están en camino de producir en masa, con aplicaciones en robots para limpiar residuos radiactivos en Fukushima, donde la resistencia a la radiación del diamante es clave. En 2025, NIMS desarrolló el primer MOSFET de diamante de canal n, un paso importante para integrar estos materiales en circuitos.

Toyota y Denso ya colaboran en el desarrollo de dispositivos de potencia de diamante, y si Denso logra adquirir ROHM, tendría acceso a toda la cadena de SiC, GaN, y diamante, cubriendo toda la cuarta generación de semiconductores, lo que podría ser una estrategia a largo plazo.

Pero la ventaja inicial de Japón en estos materiales ya empieza a ser desafiada por China. En 2025, la empresa china GaNPower lanzó la primera oblea de Ga₂O₃ de 8 pulgadas, marcando un hito. Además, universidades chinas han logrado producir en masa obleas de diamante de 2 pulgadas, acortando la brecha tecnológica.

Aunque todavía hay distancia, esa brecha se acorta rápidamente. Empresas como Tianyu Advanced y Huanghe Whirlwind ya invierten en crecimiento de cristales de diamante. No se puede afirmar con certeza si China logrará una reversión similar a la de los sustratos de SiC, pero Japón no puede dormirse en los laureles.

De la pérdida de liderazgo en lógica a la crisis en potencia

La situación actual de Japón en semiconductores de potencia recuerda a una pérdida aún mayor de hace treinta años. A finales de los 90, cuando la industria se segmentó en especialización y TSMC emergió como líder en fabricación por contrato, gigantes como Fujitsu, NEC y Hitachi perdieron terreno en lógica avanzada, saliendo de la competencia en esa área — una sangría en la historia de Japón en semiconductores.

La similitud es inquietante: entonces, fue un cambio en el modelo de negocio; ahora, una doble presión de guerra de precios y escala. Entonces, TSMC cambió la estructura del sector; ahora, las empresas chinas están reconfigurando la industria de potencia con costos, velocidad y escala. La pregunta clave sigue siendo: ¿cómo puede Japón completar la integración industrial antes de que su liderazgo se diluya, en un entorno donde la cultura empresarial fragmentada dificulta la unión?

La diferencia es que los semiconductores de potencia tienen barreras tecnológicas reales, en módulos de alta tensión, certificaciones automotrices y materiales avanzados, que aún protegen a Japón. La experiencia de Mitsubishi Electric y Fuji Electric en módulos de alta tensión y en aplicaciones industriales no se puede borrar con una guerra de precios en un día.

Epílogo: La adquisición no es el fin, sino el comienzo

Si DENSO logra integrar a ROHM, creará un gigante japonés de semiconductores de potencia verdaderamente vertical e integrado, con capacidad para competir con las empresas chinas en tecnología.

Por otro lado, las negociaciones entre Mitsubishi Electric y Toshiba representan otra vía de reestructuración. La forma en que avancen determinará cuánto puede Japón mantener su fuerza en la competencia a largo plazo contra China y Europa.

Y en el trasfondo, la carrera por la cuarta generación de semiconductores ya empieza a calentarse. Materiales como Ga₂O₃ y diamante aún están lejos de la producción en masa, pero en esta ventana de madurez incompleta, quien acumule más experiencia tendrá ventajas de años. Japón aún tiene cartas, pero la clave será si, tras la reestructuración, puede aprovechar las economías de escala para adelantarse en la transición hacia estos nuevos materiales.

La caída de Japón en la industria de semiconductores de potencia es una historia en desarrollo, en un momento crucial. La adquisición es más una respuesta a la presión que una victoria; la integración es necesaria, pero no suficiente.

El tiempo para Japón se acaba: no solo es una advertencia, sino una cuenta regresiva en marcha.

Fuente: Semiconductor Industry Watch

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