SK Hynix inicia la construcción de una planta de HBM de más de 4.000 millones de dólares en Indiana, cuya producción comenzará en 2029
SK Hynix celebró una ceremonia inaugural el 27 de mayo, hora local, en la Universidad Purdue, en West Lafayette, Indiana. La instalación, que requerirá una inversión de más de 4.000 millones de dólares, se convertirá en el primer centro de producción de memoria de alto ancho de banda (HBM) de Estados Unidos. Está previsto que la producción en masa de HBM de próxima generación comience en la segunda mitad de 2029. El proyecto busca reforzar la cadena de suministro estadounidense de semiconductore
LucasBennett·08-27 23:38
