Samsung presenta en FMS 2026 su hoja de ruta de memorias para IA: zHBM, zNAND-O y V10 BV-NAND

Samsung Electronics presentó su cartera de memoria de IA de próxima generación en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, celebrada en Santa Clara, California, y dio a conocer una hoja de ruta tecnológica integral diseñada para satisfacer las crecientes demandas de la computación de alto rendimiento y la infraestructura de inteligencia artificial. La compañía mostró aproximadamente 30 tecnologías de memoria y almacenamiento en un estand inspirado en un servidor de nube de IA, mientras que los ejecutivos Jin-Yub Lee, vicepresidente ejecutivo y responsable de Flash Product & Technology, y Kyungryun Kim, vicepresidente del equipo de diseño de DRAM, pronunciaron el discurso inaugural titulado «Impulsando la ola de la revolución de la IA: innovaciones 3D en la arquitectura de memoria y almacenamiento». El anuncio aborda las necesidades en rápido crecimiento de los aceleradores de IA y la infraestructura de los centros de datos mediante arquitecturas de memoria verticales y capacidades avanzadas de fabricación.

Samsung presenta las arquitecturas de memoria vertical zHBM y zNAND-O

Samsung presentó zHBM, que apila verticalmente la memoria de alto ancho de banda directamente sobre los aceleradores de IA en lugar de colocarla junto al chip. Samsung afirma que este diseño minimiza la distancia que recorren los datos, lo que proporciona aproximadamente ocho veces el rendimiento de HBM5, más de diez veces la densidad de memoria y tres veces la eficiencia energética, al tiempo que reduce la resistencia térmica en más de la mitad. La arquitectura admite la integración de propiedad intelectual personalizada entre capas, lo que permite soluciones adaptadas a aceleradores específicos. Samsung también presentó zNAND-O, una solución basada en V-NAND desarrollada en variantes de cuatro y ocho capas que combina una alta eficiencia espacial con una baja latencia para cargas de trabajo de IA periférica en tiempo real.

Samsung anuncia V10 BV-NAND con más de 400 capas y una hoja de ruta de producción

Samsung anunció V10 BV-NAND, la primera arquitectura de V-NAND con unión de obleas del sector, habilitada por una nueva tecnología de unión de obleas. Con más de 400 capas, el dispositivo aumenta la densidad de memoria aproximadamente un 58 % frente a la generación V9 anterior, al tiempo que mejora el rendimiento de lectura, escritura y E/S. Este hito llega trece años después de que Samsung presentara la primera V-NAND del sector. Tras la producción en masa de HBM4 en febrero, la compañía comenzó a enviar muestras de HBM4E en mayo y exhibió su modelo HBM5 en FMS 2026. Samsung presentó LPDDR5X-PIM, la primera memoria DDR de bajo consumo del sector con tecnología de procesamiento en memoria, que ejecuta cálculos dentro de la matriz de memoria para limitar el movimiento de datos y el consumo energético. Para la infraestructura de los centros de datos, se mostraron las soluciones de almacenamiento empresarial PM1763 y BM1773. Samsung destacó su estrategia integral llave en mano, que ofrece servicios integrados de diseño y fabricación destinados a acortar los ciclos de desarrollo y optimizar el rendimiento para los clientes de semiconductores de IA.

Preguntas frecuentes

¿Qué presentó Samsung en FMS 2026?
Samsung presentó su cartera de memoria de IA de próxima generación en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, celebrada en Santa Clara, California, y mostró aproximadamente 30 tecnologías de memoria y almacenamiento, incluidas zHBM, zNAND-O y V10 BV-NAND.

¿Cuáles son las especificaciones de rendimiento de la tecnología zHBM de Samsung?
Samsung afirma que zHBM ofrece aproximadamente ocho veces el rendimiento de HBM5, más de diez veces la densidad de memoria y tres veces la eficiencia energética, al tiempo que reduce la resistencia térmica en más de la mitad.

¿Cuántas capas tiene la V10 BV-NAND de Samsung?
La V10 BV-NAND de Samsung tiene más de 400 capas y aumenta la densidad de memoria aproximadamente un 58 % frente a la generación V9 anterior, al tiempo que mejora el rendimiento de lectura, escritura y E/S.