低功耗+高可靠,边缘AI的硬件底座有了

MarsBit News
新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍
美国佐治亚理工学院研究出新型铁电NAND闪存,采用与硅工艺兼容的氧化铪材料,具自发极化并可翻转的铁电特性。该闪存AI任务处理能力强,辐射耐受性为传统闪存的30倍,测试可承受高达100万拉德,相当于1亿次X射线照射。论文发表于纳米快报,显示在信息存储、传感、AI及低功耗芯片领域的应用潜力。
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