日赚近4亿 从亏损366亿到全球第四 长鑫科技IPO重启

5月17日，长鑫科技更新科创板IPO招股说明书，恢复上市审核。

招股书里最亮眼的数据是2026年第一季度净利润330.12亿元，折算日赚约4亿元。

单季归母净利润就已经相当于2025年全年归母净利润18.75亿元的约13倍。

三大巨头让出的通用市场空间

DRAM是存储芯片里最主流的品类，也是本轮价格上涨最剧烈的领域。TrendForce数据，2026年第一季度DRAM合约价环比涨幅上修至93%到98%，推动这轮价格暴涨的是高带宽内存HBM。

AI基础设施的快速扩张，拉动一台标准AI服务器对DRAM的需求达到普通服务器的8到10倍，具体到HBM这种面向AI加速卡的高端存储，需求增速更远高于通用DRAM。

三星、SK海力士、美光，全球DRAM市场的三大巨头把大量先进节点产能从通用DRAM切换到了HBM。HBM本质上也是DRAM堆叠而来，但制程更先进、毛利更高，SK海力士营业利润率高达72%。

这次产能切换的直接代价是DDR4、DDR5等通用型DRAM出现了严重的供给缺口。

国家发改委价格监测中心今年2月发文确认，2025年9月至2026年2月，全球存储器市场缺口持续扩大，今年1月DRAM价格创2016年有数据以来最高纪录。

关键在于，HBM产线转换周期长，三大巨头2025年已把先进节点产能基本锁定在HBM，且2026年HBM产能提前售罄，短期内无法逆转。市场预计第二季度DRAM合约价仍环比上涨58%到60%。

长鑫科技的主营产品是通用DRAM，并没有HBM业务，这轮的盈利爆发来自于三大巨头为追逐HBM高利润而主动让出的通用市场空间。

产能规模全球第四

这场价格暴涨中，长鑫科技凭借以下关键基础条件实现业绩爆发：产能接近满载、产品覆盖主流规格、客户基本是国内头部云厂商。

目前公司在合肥和北京共有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居全球第四、中国第一。招股书显示，产能利用率从2023年的87.06%提升到2025年的95.73%，已接近满产状态。

2025年主营收入中，DDR系列占31.87%，以DDR5为主要增长点，LPDDR系列占66.43%，以LPDDR5/5X为主。

DDR系列2025年毛利率41.89%，LPDDR系列37.25%，整体主营毛利率41.02%。对比2023年DDR系列毛利率是负108.76%，价格上涨的力度了然可见。

2023年至2025年，公司营业收入分别为90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元，复合增长率160.78%。2026年上半年业绩指引为营收1100亿到1200亿元，归母净利润500亿到570亿元。

市场份额按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫全球市场份额7.67%，三巨头合计占据全球超过90%的份额，其中三星36.6%、SK海力士32.9%、美光22.9%。

2026年一季度归母净利润247.62亿元，在全球主要存储厂商中仅次于三星约2150亿元、SK海力士约1837亿元、美光约939亿元。

价格驱动的利润弹性

当前这轮利润爆发，主要来自行业价格，而不是成本结构的根本性优化。

DRAM是典型的重资产周期行业，固定成本极高，核心是设备折旧。招股书显示，2025年折旧摊销金额达246.80亿元，是2023年的2.3倍。

2023年到2025年资本开支分别为437亿元、712亿元、497亿元。截至2025年底，累计亏损366.5亿元，主要原因就是早期大规模建设期的高折旧。

重资产周期行业的固有特征是，价格高的时候，覆盖固定成本之后，增量利润几乎全部转化为净利润，杠杆极大；价格下行时，利润以同样的速度消失，因为固定成本不随价格缩减。

三巨头历史上每一轮产能过剩周期，都导致整个行业陷入巨额亏损，长鑫科技2022年到2024年的亏损期，正是上一轮下行周期的直接体现。

业内预测当前这一轮景气周期能延续至2027年年中，依据是HBM转产对通用DRAM的结构性压制仍在持续，三巨头在通用DRAM扩产上保持高度克制。

但2027年之后，如果AI服务器需求放缓，或三巨头调整产能策略，供需平衡随时可能再次打破。

周期窗口内的扩产与技术卡位

这次IPO重启的时机选择有清晰的逻辑，景气周期仍在持续，公司现金流充裕，资本市场的估值窗口打开。

拟募集295亿元，为科创板历史第二大融资规模，资金将投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造75亿元、DRAM存储器技术升级130亿元、前瞻技术研发90亿元，核心指向扩产能、升制程和推进HBM研发。

当前量产工艺为16nm节点，在缺少EUV光刻机的条件下，制程追赶是核心约束之一，与三星、海力士的12nm以下仍有差距。

DDR5放量是制程迭代的结果，2026年Q2长鑫DDR5全球市场份额已升至3.97%。HBM则是与国际巨头差距最大的产品线，也是利润率最高的品类。三星和海力士已量产，美光跟进。

长鑫目前量产集中在DDR4、DDR5和LPDDR系列，HBM3样品已向华为等境内客户交付，但量产计划是2026年底上海封装厂投产，落后行业前沿约2至3代。

TrendForce预测，到2027年，HBM在全球DRAM总收入中的占比将从2024年的约12%升至超过35%。不能生产HBM的厂商，在高增长市场里份额会被压缩。

这也解释了为什么募资里有90亿元专门指向前瞻技术研发，在景气周期内把资本市场融资转化为技术升级的投入，是这次IPO选在此时重启的核心逻辑之一。

从周期受益者到全球竞争者

目前行业仍处于景气周期，长鑫满产叠加价格高位，盈利将持续。募投产能落地后，这一时期也是周期下行风险最集中的窗口。

Omdia预测2030年全球DRAM市场规模将达5710亿美元，年均复合增长率30.56%，市场总量仍在扩大，竞争也会同步加剧。

通用DRAM是成熟市场，而HBM和面向AI数据中心的高端存储，才是真正的高附加值领域。长鑫能否在2028年前实现HBM3/3E规模化量产，是决定公司长期竞争位置的关键变量。

全球DRAM市场被三家外国企业垄断超过三十年，这个格局之所以稳固，不是因为技术问题，而是因为DRAM对资金规模、工艺积累和供应链深度的要求极高。

从2016年落地合肥，合肥国资通过合肥城建等主体间接持股，是公司成立以来持续参与的产业资本之一；到今天全球排名第四、季度净利润进入全球前四，这样的转变并不容易。

短期的高盈利来自周期，但支撑周期盈利的产能和技术能力，则是过去十年的持续投入。

对于中国存储产业而言，进入全球竞争体系只是第一步，向高端存储领域继续突破，才决定未来能走多远。

这次IPO，不只是一次融资，也是长鑫科技向下一阶段竞争迈进的重要节点。