#闪迪重挫6%存储股收跌 O setor de memória continua sujeito a pressão de libertação de sentimento no curto prazo, mas os fundamentos de equilíbrio apertado entre a oferta e a procura no médio prazo ainda não foram totalmente comprometidos

I. Principais fatores por detrás desta ronda de correções consecutivas
1. Impacto concentrado de múltiplos fatores negativos de curto prazo
Líderes como a SanDisk e a Micron caíram em 6 dos últimos 7 dias de negociação. O catalisador foi a correção após o feriado no mercado sul-coreano e o término antecipado de um plano de recompra de 40 mil milhões de dólares por parte de um gigante, agravados pelo avanço tecnológico da arquitetura 4F² da CXMT, que suscitou preocupações quanto à oferta no longo prazo.
2. Realização concentrada de lucros acumulados em níveis elevados
O setor registou ganhos excessivos anteriormente. A SanDisk tem vindo a recuar continuamente desde o máximo de 52 semanas de 2354 dólares. A par do arrefecimento temporário das expectativas relativas à procura de memória para IA, os fundos concentraram as vendas em níveis elevados para garantir os lucros.
3. O mercado está a antecipar uma inversão futura entre a oferta e a procura
Os investidores já estão a concentrar-se em 2027-2028, receando que a expansão da capacidade de produção de memória da China coincida com a entrada em funcionamento de novas fábricas de wafers na Coreia do Sul, quebrando o atual cenário de oferta insuficiente face à procura.

II. Perspetivas para a evolução futura por fases
1. Curto prazo de 1-2 semanas: a libertação do sentimento ainda poderá prosseguir
O índice KOSPI da Coreia do Sul encontra-se já muito próximo do suporte da média móvel de 200 dias, enquanto os investidores estrangeiros registam vendas líquidas há 5 dias consecutivos. No curto prazo, é provável que o setor continue a oscilar em busca de um fundo, não sendo de excluir uma nova descida.
2. Médio prazo de 3-6 meses: os fundamentos continuam a prestar suporte
A TrendForce estima que o desequilíbrio de oferta insuficiente face à procura de DRAM se prolongue pelo menos até 2027. A HBM continua sujeita a uma oferta limitada devido à forte procura por servidores de IA, e a subida dos preços da memória apresenta maior sustentabilidade do que nos ciclos tradicionais.
3. Longo prazo de 1-2 anos: intensificação da diferenciação do setor
Os fabricantes com capacidade própria de investigação e desenvolvimento de chips de memória e que consigam entrar em segmentos de elevado valor acrescentado relacionados com a IA deverão apresentar um desempenho independente durante a reestruturação do setor. A elasticidade dos lucros dos títulos exclusivamente ligados a módulos deverá diminuir com as flutuações do ciclo.

III. Principais indicadores a acompanhar
1. Evolução dos preços à vista
É importante acompanhar as variações mensais das cotações à vista de DRAM e NAND. Se a tendência de subida dos preços persistir, o atual pessimismo em relação às avaliações deverá recuperar rapidamente.
2. Planos de despesas de capital dos grandes fabricantes
É importante acompanhar o ritmo de expansão da capacidade da Samsung e da SK hynix. Se os fabricantes originais controlarem ativamente a produção, o momento da inversão futura entre a oferta e a procura será adiado.
3. Progresso da substituição por produção nacional
A situação das entregas efetivas, no final do ano, dos produtos DDR5 baseados na arquitetura 4F² da CXMT determinará diretamente a direção da revisão das expectativas do mercado relativamente à estrutura da oferta. $SNDK