$DRAM continua a atrair um forte interesse do mercado, com uma atividade de negociação elevada a evidenciar uma atenção crescente em todo o sector da memória.

Estarei atento ao volume, à evolução dos preços e ao momentum para identificar sinais do próximo grande movimento.

Morgan Stanley: A capacidade de DRAM e NAND da China atingirá 50 milhões de wafers até 2028, remodelando a oferta globalSegundo a Morgan Stanley, os fabricantes chineses de memória — especificamente a Changxin e a Yangtze Memory — estão prestes a alterar fundamentalmente a dinâmica da oferta global de semicondutores até 2028. O relatório prevê que a capacidade mensal de wafers DRAM da Changxin aumente de 18 milhões de unidades em 2025 para 50 milhões até 2028, podendo conquistar 15% das expedições globais de bits DRAM e ultrapassar a Micron como o terceiro maior fornecedor de DRAM. Embora a procura por IA em 2026-2027 e as limitações na produção de HBM possam absorver a nova capacidade da China, 2028 marcará um ponto de viragem crítico. À medida que a Changxin aumenta a produção e as novas fábricas da Yangtze Memory iniciam as operações, em paralelo com os acréscimos de capacidade dos fornecedores globais existentes, o sector da memória poderá enfrentar pressões significativas entre a oferta e a procura. A Morgan Stanley prevê que o mercado possa passar de um défice de 15-17% em 2027 para um possível excesso de oferta caso o crescimento da procura abrande, remodelando fundamentalmente a estrutura de lucros e a disciplina de preços do sector.