Samsung apresenta o roadmap de memórias para IA: zHBM, zNAND-O e V10 BV-NAND na FMS 2026

A Samsung Electronics revelou o seu portefólio de memória de IA de próxima geração na conferência Future of Memory and Storage (FMS) 2026, em Santa Clara, na Califórnia, apresentando um roteiro tecnológico abrangente concebido para responder às crescentes exigências da computação de alto desempenho e das infraestruturas de inteligência artificial. A empresa apresentou aproximadamente 30 tecnologias de memória e armazenamento num stand inspirado num servidor de cloud de IA, enquanto os executivos Jin-Yub Lee, vice-presidente executivo e responsável pela área de Flash Product & Technology, e Kyungryun Kim, vice-presidente da equipa de design de DRAM, proferiram a palestra de abertura intitulada «Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture». O anúncio responde às necessidades em rápido crescimento dos aceleradores de IA e das infraestruturas de centros de dados através de arquiteturas de memória verticais e de capacidades avançadas de fabrico.

Samsung apresenta as arquiteturas de memória vertical zHBM e zNAND-O

A Samsung apresentou a zHBM, que empilha verticalmente memória de alta largura de banda diretamente sobre os aceleradores de IA, em vez de a posicionar ao lado do chip. A Samsung afirma que este design minimiza a distância percorrida pelos dados, proporcionando aproximadamente oito vezes o desempenho da HBM5, mais de dez vezes a densidade de memória e três vezes a eficiência energética, ao mesmo tempo que reduz a resistência térmica em mais de metade. A arquitetura suporta a integração de propriedade intelectual personalizada entre camadas, permitindo soluções adaptadas a aceleradores específicos. A Samsung apresentou também uma antevisão da zNAND-O, uma solução baseada em V-NAND desenvolvida em variantes de quatro e oito camadas, que combina elevada eficiência espacial com baixa latência para cargas de trabalho de IA na periferia em tempo real.

Samsung anuncia a V10 BV-NAND com mais de 400 camadas e roteiro de produção

A Samsung anunciou a V10 BV-NAND, a primeira arquitetura V-NAND com bonding do setor, possibilitada por uma nova tecnologia de bonding de wafers. Com mais de 400 camadas, o dispositivo aumenta a densidade de memória em aproximadamente 58% face à geração V9 anterior, melhorando simultaneamente o desempenho de leitura, escrita e I/O. Este marco surge 13 anos depois de a Samsung ter apresentado a primeira V-NAND do setor. Após a produção em massa da HBM4 em fevereiro, a empresa começou a enviar amostras da HBM4E em maio e exibiu o seu modelo HBM5 na FMS 2026. A Samsung apresentou a LPDDR5X-PIM, a primeira memória DDR de baixo consumo do setor com tecnologia de processamento na memória, que executa cálculos dentro da matriz de memória para limitar a movimentação de dados e o consumo energético. Para as infraestruturas de centros de dados, foram apresentadas as soluções de armazenamento empresarial PM1763 e BM1773. A Samsung destacou a sua estratégia integrada de soluções chave-na-mão de ponta a ponta, oferecendo serviços integrados de design e fabrico destinados a encurtar os ciclos de desenvolvimento e a otimizar o desempenho para clientes de semicondutores de IA.

Perguntas frequentes

O que apresentou a Samsung na FMS 2026?
A Samsung revelou o seu portefólio de memória de IA de próxima geração na conferência Future of Memory and Storage (FMS) 2026, em Santa Clara, na Califórnia, apresentando aproximadamente 30 tecnologias de memória e armazenamento, incluindo a zHBM, a zNAND-O e a V10 BV-NAND.

Quais são as especificações de desempenho da tecnologia zHBM da Samsung?
A Samsung afirma que a zHBM proporciona aproximadamente oito vezes o desempenho da HBM5, mais de dez vezes a densidade de memória e três vezes a eficiência energética, ao mesmo tempo que reduz a resistência térmica em mais de metade.

Quantas camadas tem a V10 BV-NAND da Samsung?
A V10 BV-NAND da Samsung tem mais de 400 camadas e aumenta a densidade de memória em aproximadamente 58% face à geração V9 anterior, melhorando simultaneamente o desempenho de leitura, escrita e I/O.