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一、Facteurs fondamentaux à l’origine de cette série de replis consécutifs
1. Choc concentré de plusieurs facteurs négatifs à court terme
Les leaders tels que SanDisk et Micron ont baissé six jours sur sept au cours des sept dernières séances. Le déclencheur a été le rattrapage baissier du marché sud-coréen après un jour férié, l’arrêt anticipé d’un programme de rachat d’actions de 40 milliards de dollars par un géant, ainsi que les inquiétudes à long terme concernant l’offre suscitées par la percée technologique de l’architecture 4F² de ChangXin.
2. Prises de bénéfices concentrées après la forte hausse précédente
Le secteur avait trop progressé auparavant. SanDisk a reculé de manière continue depuis son sommet sur 52 semaines à 2 354 dollars, tandis que le refroidissement temporaire des anticipations de demande dans le stockage pour l’IA a incité les capitaux à vendre massivement aux niveaux élevés afin de verrouiller leurs gains.
3. Anticipation par le marché d’un retournement futur de l’offre et de la demande
Les investisseurs se tournent déjà vers 2027-2028 et craignent qu’à cette échéance l’expansion des capacités de production chinoises de mémoire et la mise en service simultanée de nouvelles usines de wafers en Corée du Sud ne mettent fin à la situation actuelle de pénurie de l’offre.
二、Analyse par étapes de l’évolution future
1. À court terme, sur 1 à 2 semaines : le dégagement des positions pourrait se poursuivre
L’indice KOSPI sud-coréen est déjà proche de son support de moyenne mobile à 200 jours, tandis que les investisseurs étrangers ont enregistré des ventes nettes pendant cinq jours consécutifs. À court terme, le secteur devrait probablement prolonger son mouvement de recherche d’un plancher dans un contexte volatil, sans exclure la possibilité d’un nouveau repli.
2. À moyen terme, sur 3 à 6 mois : les fondamentaux restent favorables
TrendForce prévoit que la pénurie de DRAM se poursuivra au moins jusqu’en 2027. Sous l’effet d’une forte demande des serveurs d’IA, l’offre de HBM restera tendue, et la hausse des prix des mémoires devrait être plus durable que lors des cycles traditionnels.
3. À long terme, sur 1 à 2 ans : la différenciation du secteur va s’accentuer
Les fabricants disposant de capacités de recherche et développement sur les composants clés et s’engageant sur des segments de l’IA à forte valeur ajoutée devraient suivre une trajectoire indépendante dans le cadre de la restructuration du secteur, tandis que l’élasticité des bénéfices des entreprises spécialisées dans les modules purs se réduira avec les fluctuations du cycle.
三、Principaux indicateurs à surveiller
1. Évolution des prix au comptant
Il convient de suivre en priorité l’évolution mensuelle des prix au comptant de la DRAM et de la NAND. Si la tendance haussière des prix se poursuit, le pessimisme actuel concernant les valorisations pourrait rapidement s’atténuer.
2. Plans de dépenses d’investissement des grands fabricants
Il faudra surveiller le rythme d’expansion des capacités de Samsung et de SK hynix. Si les fabricants d’origine réduisent volontairement leur production, le retournement à long terme de l’offre et de la demande pourrait être retardé.
3. Avancement de la substitution par la production nationale
La situation réelle des livraisons de produits DDR5 fondés sur l’architecture 4F² de ChangXin à la fin de l’année déterminera directement l’orientation de la révision des anticipations du marché concernant la structure de l’offre. $SNDK