根據一篇發表於 10 月號《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》的同儕審查論文,ASML 與光學合作夥伴 Carl Zeiss 宣布,作為 ASML 最先進晶片製造設備的下一代後繼產品,Hyper NA 可能在大約 10 年內準備就緒。Hyper NA 系統將產生更小的電路特徵——小至 5 奈米,與 ASML 目前的 High NA EUV 設備相比,縮減超過三分之一。論文指出,Carl Zeiss 已經開發出精度足以用於 Hyper NA 的反射鏡,而新設備只會比目前的 High NA 系統稍大一些。