根據本月發表在《微影/奈米圖案化、材料與計量學期刊》上的一篇同儕審查論文,ASML 與光學合作夥伴蔡司宣布,下一代極紫外光(EUV)微影設備 Hyper NA 可望在約 10 年內準備就緒。這項技術將能製造小至 5 奈米的電路特徵,比目前的 High NA EUV 系統小超過三分之一。 該論文指出,雖然 High NA 已於英特爾投產,三星與 SK 海力士計劃在 2028 年前採用,而台灣積體電路製造公司(台積電)則預計在 2030 年前採用。蔡司證實,其已能製造出足以應付 Hyper NA 所需精度的反射鏡,且新設備只會比現有的 High NA 系統略大一些。