DRAM(Roundhill 内存 ETF)技术分析

DRAM 技术分析基于历史价格与成交量数据,呈现常用技术指标的数值与信号,包括 RSI、MACD、布林带及成交量等,用于反映市场动能、波动区间及量价关系。同时提供 VIX 波动率、涨跌家数比、期权 Put/Call 比等市场情绪维度的辅助参考。多周期视图覆盖从分钟级别至日线、周线、月线等不同时间框架,便于对比同一指标在不同周期下的表现。关键支撑位与阻力位结合当前价格一并展示,相关价位基于枢轴点、斐波那契回撤及历史高低点等方法计算得到,用于概览当前市场的技术结构特征。
DRAM
DRAM

Roundhill 内存 ETF

$67.03-8.26%
今日最高价$68.61
今日最低价$66.93
今日开盘价$67.11
昨日收盘价$73.07

DRAM(Roundhill 内存 ETF)技术分析概览

AI 创作截至2026年6月30日,Roundhill Memory ETF(DRAM)呈现看涨偏向的走势,短期内面临盘整压力。MACD水平为5.1267,显示卖出信号,动能有所减弱;而RSI(14)为58.5527,处于中性偏强区域,表明买盘力量平衡,没有出现超买极端。移动平均系统显示强劲的多头排列,EMA10为71.7746,EMA20为68.3379,EMA50为56.4913,均呈多头堆叠,确认短期上升趋势结构。平均方向指数(ADX)为25.2249,确认趋势环境中等偏强,表明价格走势由趋势动能驱动,而非区间盘整。

震荡指标

强卖
强买
卖出
3
卖出
8
中立
0
买入

总结

强卖
强买
中立
7
卖出
13
中立
6
买入

移动平均线

强卖
强买
买入
4
卖出
5
中立
6
买入

DRAM(Roundhill 内存 ETF)实时 K 线走势图

DRAM(Roundhill 内存 ETF)多周期技术评级

总结1H4H1D1W
移动平均线 (15)212486421
震荡指标 (11)中性中性中性中性
RSI (14)35.846.652.60.0
MACD (12,26)死叉金叉金叉中性

DRAM(Roundhill 内存 ETF)技术指标解读

基于 1 天收盘价序列

震荡指标

名称操作
RSI(14)
52.6617中立
Stochastic %K (14, 3, 3)
58.255中立
CCI 指标 (20)
-4.1226中立
平均趋向指数 ADX (14)
23.681卖出
动量震荡指标 (AO)
8.3303中立
动量指标 (10)
0.3395卖出
MACD Level (12, 26)
4.5489卖出
Stochastic RSI Fast (3, 3, 14, 14)
17.6511中立
威廉百分比变动 (14)
-58.0728中立
牛熊力量 (BBP)
-5.4419中立
终极震荡指标 UO (7, 14, 28)
48.5506中立

移动平均线

名称操作
EMA (10)
71.212卖出
SMA (10)
72.955卖出
EMA (20)
68.3728买入
SMA (20)
68.391买入
EMA (30)
64.71买入
SMA (30)
65.3613买入
EMA (50)
56.9708买入
SMA (50)
57.0484买入
EMA (100)
-中立
SMA (100)
-中立
EMA (200)
-中立
SMA (200)
-中立
一目均衡表基准线 (9, 26, 52, 26)
68.36中立
成交量加权移动平均线 VWMA (20)
68.6512卖出
船体移动平均线 Hull MA (9)
71.4164卖出

DRAM(Roundhill 内存 ETF)枢轴点

基于 1 天周期

PriceClassicFibonacciCamarillaWoodieDM
R3106.493380.953370.2235104.05-
R280.953371.197167.882384.17-
R172.076765.169665.541278.5176.515
枢轴 P55.413355.413355.413358.6357.6325
S146.536745.657160.858852.9750.975
S229.873339.629658.517733.09-
S34.333329.873356.176527.43-

DRAM(Roundhill 内存 ETF)市场情绪指数

分析师评级-
期权看跌看涨比+40.70%
隐含波动率72.3723

DRAM(Roundhill 内存 ETF)当前技术面深度解读

截至2026年6月30日,Roundhill Memory ETF(DRAM)展现出偏多的技术结构,伴随盘整的潜在迹象。**DRAM技术分析**显示MACD水平为5.1267,发出卖出信号,表明动能已开始从近期的加速阶段减缓。RSI(14)为58.5527,处于中性偏强区(55–70范围),暗示买盘力量平衡偏多,但未出现超买极限,动量(10)指标为2.51,确认卖出信号,表明短期动能背离正在出现,趋势结构与短期振荡指标之间存在差异。 平均趋向指标(14)为25.2249,确认市场处于中等偏强的趋势环境,ADX接近30的阈值,表明方向性动能推动价格,而非区间盘整。商品通道指数(20)为63.9072,保持中性,而强力振荡器(Awesome Oscillator)为9.1456,显示中性,暗示趋势结构依然完整,但短期动能确认正在减弱,这与盘整前的典型模式一致。 移动平均系统在多个时间框架中显示出强劲的偏多排列。EMA10为71.7746,高于EMA20的68.3379,而EMA20又高于EMA50的56.4913,确认了典型的偏多堆叠。SMA20为68.433,与EMA20紧密贴合,强化了短期上升趋势的支撑。日线显示买入信号为十个,卖出为零,且10、20、30和50周期均显示买入信号,强烈暗示主要趋势仍偏向上行,尽管近期有所回调。 关键水平方面,斐波那契回撤结构提供了重要参考点:R1阻力位为65.1696,已被突破,R2为71.1971,R3为80.9533,若动能恢复,未来目标将指向更高。支撑位方面,S1为45.6571,S2为39.6296,定义了更广泛的下行缓冲区。目前价格为72.76,接近R2水平,暗示在下一次方向性突破前,当前水平附近可能会出现盘整。DRAM价格的结构性展望仍然偏多,移动平均堆叠为潜在的上行延伸提供基础。 在市场广度方面,隐含波动率为72.3723,显示出较高的不确定性,与日内盘整模式以及趋势结构与动量振荡器之间的背离相符。看跌/看涨比率为40.7,反映出适度的对冲需求,表明期权市场参与者在偏多的移动平均排列下保持谨慎。结合偏多的技术结构、较高的波动率和适度的对冲,暗示市场正处于受控的盘整状态——交易者在等待,准备在结构性偏多的基础上进一步加仓,而短期DRAM价格预测仍受到这种结构性偏多与战术谨慎之间平衡的影响。

常见问题

DRAM 当前技术评级是什么?

x
在 4H 周期下,DRAM 的综合技术评级为 中立,该结果由移动平均线与动能类指标共同计算,用于反映当前趋势方向与价格动能。

DRAM 当前的关键支撑位和阻力位在哪里?

x

DRAM 的 RSI 和 MACD 当前信号如何?

x

DRAM 技术分析数据多久更新一次?

x

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