DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 技術分析

DRAM 技術分析結合歷史價格與成交量數據,即時提供 RSI、MACD、布林通道及成交量等技術指標與交易訊號。分析內容涵蓋市場動能、波動區間及價格趨勢,並整合 VIX 波動率指數、漲跌家數比 (A/D Ratio) 及 Put/Call Ratio 等市場情緒指標,提供更全面的市場觀察視角。系統同時支援日線、週線及月線等多時間週期分析,協助追蹤不同週期下的指標變化。當前價格旁亦會顯示關鍵支撐位與壓力位,並透過樞紐點、斐波那契回撤及歷史高低點等方法計算,協助快速掌握市場結構。
DRAM
DRAM

Roundhill 記憶體 ETF

$66.91-8.43%
今日最高價$68.61
今日最低價$66.71
今日開盤價$67.11
昨日收盤價$73.07

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 技術分析概覽

AI 創作截至2026年6月30日,Roundhill Memory ETF(DRAM)呈現看漲偏向的走勢,並伴隨短期盤整壓力。MACD水準為5.1267,顯示出賣出信號,動能正在放緩;而RSI(14)為58.5527,處於中性偏強區域,表明買盤力量平衡,尚未過度超買。移動平均系統展現出強勁的多頭排列,EMA10為71.7746,EMA20為68.3379,EMA50為56.4913,皆呈多頭堆疊,確認短期上升趨勢結構。平均方向指數(ADX)為25.2249,證實一個中等偏強的趨勢環境,暗示價格走勢由趨勢動能推動,而非區間盤整。

震盪指標

強烈賣出
強烈買入
賣出
3
賣出
8
中性
0
買入

總結

強烈賣出
強烈買入
中性
7
賣出
13
中性
6
買入

移動平均線

強烈賣出
強烈買入
買入
4
賣出
5
中性
6
買入

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 即時 K 線圖

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 多週期技術評級

總結1H4H1D1W
移動平均線 (15)212486421
震盪指標 (11)中性中性中性中性
RSI (14)35.846.652.60.0
MACD (12,26)死叉金叉金叉中性

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 技術指標解讀

基於 1 日收盤價序列

震盪指標

名稱操作
RSI(14)
52.6617中性
Stochastic %K (14, 3, 3)
58.255中性
商品通道指數 (CCI) (20)
-4.1226中性
平均方向指數 (ADX) (14)
23.681賣出
動能震盪指標 (AO)
8.3303中性
動能指標 (10)
0.3395賣出
MACD Level (12, 26)
4.5489賣出
Stochastic RSI Fast (3, 3, 14, 14)
17.6511中性
威廉指標 (Williams %R) (14)
-58.0728中性
多空力量指標 (Bull Bear Power, BBP)
-5.4419中性
終極震盪指標 (Ultimate Oscillator, UO) (7, 14, 28)
48.5506中性

移動平均線

名稱操作
EMA (10)
71.212賣出
SMA (10)
72.955賣出
EMA (20)
68.3728買入
SMA (20)
68.391買入
EMA (30)
64.71買入
SMA (30)
65.3613買入
EMA (50)
56.9708買入
SMA (50)
57.0484買入
EMA (100)
-中性
SMA (100)
-中性
EMA (200)
-中性
SMA (200)
-中性
一目均衡表基準線 (Ichimoku Kinko Hyo Base Line) (9, 26, 52, 26)
68.36中性
成交量加權移動平均線 (VWMA) (20)
68.6512賣出
Hull 移動平均線 (HMA) (9)
71.4164賣出

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 樞紐點

基於 1 日週期

PriceClassicFibonacciCamarillaWoodieDM
R3106.493380.953370.2235104.05-
R280.953371.197167.882384.17-
R172.076765.169665.541278.5176.515
樞紐點55.413355.413355.413358.6357.6325
S146.536745.657160.858852.9750.975
S229.873339.629658.517733.09-
S34.333329.873356.176527.43-

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 市場情緒指數

分析師評級-
期權看跌/看漲比率+40.70%
隱含波動率 (IV)72.3723

DRAM (Roundhill 記憶體 ETF) 深度技術分析

截至2026年6月30日,Roundhill Memory ETF(DRAM)展現出偏多的技術結構,伴隨盤整跡象。**DRAM技術分析**顯示MACD水準為5.1267,呈現賣出信號,表明動能已開始從近期的加速階段趨緩。RSI(14)為58.5527,處於中性偏強區域(55–70範圍),暗示買盤力量較為平衡偏多,未出現超買極限,而Momentum(10)指標為2.51,確認賣出信號,顯示短期動能背離正在形成,趨勢結構與短期振盪器之間出現差異。 平均方向指數(14)為25.2249,證實市場處於中等偏強的趨勢環境,ADX接近30的閾值,顯示方向動能推動價格走勢,而非區間盤整。商品通道指數(20)為63.9072,保持中性,而Awesome Oscillator為9.1456,亦呈現中性,暗示趨勢結構仍完整,但短期動能確認正在減弱,這與盤整前的典型模式相符,預示下一步可能出現明確的方向性突破。 多重時間框架的移動平均系統顯示出強勁的多頭排列。EMA10為71.7746,位於EMA20的68.3379之上,而EMA20又高於EMA50的56.4913,形成典型的多頭堆疊。SMA20為68.433,與EMA20緊密貼合,進一步支持短期上升趨勢。日線圖顯示有十個買入信號,無賣出信號,且10、20、30和50期均線均呈現買入信號,強烈暗示主要趨勢仍偏向上行,儘管近期有所回調。 關鍵支撐與阻力位方面,Fibonacci回撤結構提供重要參考點:R1阻力位為65.1696,已被突破,R2在71.1971,R3在80.9533,若動能恢復,則有進一步上行目標。支撐位方面,S1在45.6571,S2在39.6296,形成較寬的下行緩衝區。當前價格72.76接近R2,暗示在下一次明確突破前,短期內可能在此區域盤整。DRAM價格預測在結構上仍偏多,移動平均堆疊提供支撐,盤整結束後有望延續上行。 市場寬度方面,隱含波動率為72.3723,顯示市場不確定性較高,與日內盤整模式及趨勢結構與動能振盪器之間的背離相符。看跌/看漲比率為40.7,反映出適度的避險需求,表明期權市場參與者在偏多的移動平均排列下仍保持謹慎。這種偏多的技術結構結合較高的波動率與適度的避險,暗示市場正處於受控的盤整階段,交易者在等待進一步的多頭擴展,因為短期內DRAM價格預測仍受到結構性偏多與策略性謹慎之間的平衡所影響。

常見問題

DRAM 目前的技術評級為何?

x
在 4 小時週期下,DRAM 的綜合技術評級為 中性。此評級透過移動平均線與動能震盪指標綜合計算,可反映目前的趨勢方向與價格動能。

DRAM 的關鍵支撐位與壓力位在哪裡?

x

DRAM 目前的 RSI 與 MACD 訊號為何?

x

DRAM 技術分析資料多久更新一次?

x

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